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U-MOSⅨ-Hシリーズは損失を示す性能指数が大幅に改善
U-MOSⅨ-Hシリーズは、優れたトレンチプロセス技術とパッケージ技術の融合により業界トップレベルの性能を提供します。最先端の微細化技術を用い、セル構造を最適化することでMOSFETの重要な性能指数であるRDS (ON)×Qg、RDS (ON)×QSWならびにRDS (ON)×QOSSを大幅に改善しました。これら性能指数の改善により、主要損失である導通損失、ドライブ損失、スイッチング損失、出力チャージ損失を減らし、電源機器の高効率化やデバイスの温度低減に貢献します。
TPH1R306PL: U-MOSⅨ-H、VDSS=60V、RDS (ON) max= 1.34mΩ at VGS=10V、SOP Advance
RDS (ON): オン抵抗 (導通損失に関する指標)
Qg: ゲート電荷量 (ドライブ損失に関する指標)
QSW: ゲートスイッチ電荷量 (スイッチング損失に関する指標)
QOSS: 出力電荷量 (出力チャージ損失に関する指標)
(2018年1月当社調べ)
主な性能指数を競合の同等製品と比較した場合、U-MOSⅨ-H 60Vシリーズ TPH1R306PLは、スイッチング損失を示すRDS (ON)×QSWが25%低減し、出力チャージ損失を示すRDS (ON)×QOSSが32%低減しています。
TPH3R70APL: U-MOSⅨ-H、VDSS=100V、RDS (ON)max= 3.7mΩ at VGS=10V、SOP Advance
RDS (ON): オン抵抗 (導通損失に関する指標)
Qg: ゲート電荷量 (ドライブ損失に関する指標)
QSW: ゲートスイッチ電荷量 (スイッチング損失に関する指標)
QOSS: 出力電荷量 (出力チャージ損失に関する指標)
(2018年1月当社調べ)
主な性能指数で競合の同等製品と比較した場合、U-MOSⅨ-H 100Vシリーズ TPH3R70APLは、スイッチング損失を示すRDS (ON)×QSWが15%低減し、出力チャージ損失を示すRDS (ON)×QOSSが14%低減しています。
U-MOSⅨ-HシリーズMOSFET
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