U-MOSⅨ-Hシリーズは損失を示す性能指数が大幅に改善
U-MOSⅨ-Hシリーズは、優れたトレンチプロセス技術とパッケージ技術の融合により業界トップレベルの性能を提供します。最先端の微細化技術を用い、セル構造を最適化することでMOSFETの重要な性能指数であるRDS(ON)×Qg、RDS(ON)×QSWならびにRDS(ON)×QOSSを大幅に改善しました。これら性能指数の改善により、主要損失である導通損失、ドライブ損失、スイッチング損失、出力チャージ損失を減らし、電源機器の高効率化やデバイスの温度低減に貢献します。
RDS(ON)：オン抵抗（導通損失に関する指標）
Qg：ゲート電荷量（ドライブ損失に関する指標）
QSW：ゲートスイッチ電荷量（スイッチング損失に関する指標）
QOSS：出力電荷量（出力チャージ損失に関する指標）
（2018年1月当社調べ）
主な性能指数を競合の同等製品と比較した場合、U-MOSⅨ-H 60Vシリーズ TPH1R306PLは、スイッチング損失を示すRDS(ON)×QSWが25%低減し、出力チャージ損失を示すRDS(ON)×QOSSが32%低減しています。
RDS(ON)：オン抵抗（導通損失に関する指標）
Qg：ゲート電荷量（ドライブ損失に関する指標）
QSW：ゲートスイッチ電荷量（スイッチング損失に関する指標）
QOSS：出力電荷量（出力チャージ損失に関する指標）
（2018年1月当社調べ）
主な性能指数で競合の同等製品と比較した場合、U-MOSⅨ-H 100Vシリーズ TPH3R70APLは、スイッチング損失を示すRDS(ON)×QSWが15%低減し、出力チャージ損失を示すRDS(ON)×QOSSが14%低減しています。
U-MOSⅨ-HシリーズMOSFET
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