TPH9R00CQH

パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)

  • 関連リファレンスデザイン(2)

データシート

TPH9R00CQH データシート/日本語[2021年03月]PDF: 758KB

データシート

TPH9R00CQH データシート/英語[2021年03月]PDF: 650KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2023年01月]ZIP: 41KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2023年02月]ZIP: 49KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2024年05月]ZIP: 9KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2022年09月]ZIP: 16KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 208KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

パワーMOSFET U-MOSⅩ-H 150V[2023年04月]PDF: 2867KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

300W 絶縁型DC-DC コンバーターの効率評価と損失分析[2021年09月]PDF: 1784KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

データシート

TPH9R00CQH データシート/日本語[2021年03月]PDF: 758KB

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TPH9R00CQH データシート/英語[2021年03月]PDF: 650KB

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MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

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パワーMOSFET U-MOSⅩ-H 150V[2023年04月]PDF: 2867KB

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電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

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簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

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48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

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共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

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U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

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MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

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降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

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最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

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MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

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熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

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寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

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MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

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アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

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MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

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MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

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ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2023年01月]ZIP: 41KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2023年02月]ZIP: 49KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2024年05月]ZIP: 9KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2022年09月]ZIP: 16KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 208KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

製品概要

用途 高効率DC-DCコンバーター / スイッチングレギュレーター / モータードライブ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅩ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 SOP Advance / SOP Advance(N)
外観 SOP Advance / SOP Advance(N)
ピン数 8
実装区分 表面実装

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 150 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS 20 V
ドレイン電流 ID 64 A
許容損失 PD 210 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 4.3 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.3 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=8V 11 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 9 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 3500 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 44 nC
出力電荷量 (Typ.) Qoss - 87 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 72 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 133 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2023年01月

2023年02月

2024年05月

2022年09月

2024年09月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TPH9R00CQH,LQ 5000 Yes

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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