TPN4R303NL

パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V)

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製品概要

用途 高効率DC-DCコンバーター / スイッチングレギュレーター
極性 N-ch
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TSON Advance
外観 TSON Advance
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
3.3×3.3×0.85
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注:Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 30 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 63 A
許容損失 PD 34 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.3 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.3 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 6.3
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 4.3
入力容量 (Typ.) Ciss - 1110 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 14.8 nC
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ドキュメント

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TPN4R303NL,L1Q 5000 Yes

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