SSM6K809R

小型・低オン抵抗MOSFET

  • 関連リファレンスデザイン(1)

データシート

SSM6K809R データシート/日本語[2024年08月]PDF: 485KB

データシート

SSM6K809R データシート/英語[2024年08月]PDF: 368KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2020年05月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2021年03月]ZIP: 11KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年08月]PDF: 298KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年10月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年10月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

SSM6K809R データシート/日本語[2024年08月]PDF: 485KB

データシート

SSM6K809R データシート/英語[2024年08月]PDF: 368KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2020年05月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2021年03月]ZIP: 11KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年08月]PDF: 298KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年10月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年10月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

製品概要

用途 DC-DCコンバーター / パワーマネジメントスイッチ
特長 低オン抵抗
極性 N-ch
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 シングル
PPAP 提供可能(※)
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 TSOP6F
外観 TSOP6F
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 60 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 6.0 A
許容損失 PD 1.5 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.5 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 69 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 51 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 36 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 550 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 9.3 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2020年05月

2021年03月

2024年02月

2024年08月

2024年10月

2024年10月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
SSM6K809R,LF 3000 Yes - 一般用途
SSM6K809R,LXGF 3000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)
SSM6K809R,LXHF 3000 - Yes Yes 車載用途

(注)：詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


アプリケーション

LEDヘッドランプ
LEDヘッドランプの設計では、低消費電力化や基板の小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、LEDマトリックス制御部、電源部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
USB給電
USB給電の設計では、電源・信号ノイズの低減や低消費電力化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、シガーソケットやアクセサリー回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ

ご注意

リストへ戻る
別ウインドウにて開きます