XSM6J372NW

新製品

小信号MOSFET

データシート

XSM6J372NW データシート/日本語[2025年03月]PDF: 452KB

データシート

XSM6J372NW データシート/英語[2025年03月]PDF: 338KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2025年04月]ZIP: 11KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2025年04月]ZIP: 21KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2025年04月]ZIP: 4KB

シミュレーションモデル

ELDOモデル[2025年04月]ZIP: 5KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2025年06月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2025年06月]PDF: 104KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2025年06月]PDF: 970KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2025年05月]PDF: 734KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2025年05月]PDF: 922KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2025 Rev1.1[2025年05月]PDF: 8535KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

データシート

XSM6J372NW データシート/日本語[2025年03月]PDF: 452KB

データシート

XSM6J372NW データシート/英語[2025年03月]PDF: 338KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2025年04月]ZIP: 11KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2025年04月]ZIP: 21KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2025年04月]ZIP: 4KB

シミュレーションモデル

ELDOモデル[2025年04月]ZIP: 5KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2025年06月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2025年06月]PDF: 104KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2025年06月]PDF: 970KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2025年05月]PDF: 734KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2025年05月]PDF: 922KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2025 Rev1.1[2025年05月]PDF: 8535KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ
特長 低オン抵抗
極性 P-ch
世代 U-MOSⅥ
内部接続 シングル
PPAP 提供可能(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-1220 (DFN2020B(WF))
外観 東芝 XSM6J372NW 小信号MOSFET製品のDFN2020B(WF)パッケージ画像
パッケージコード SOT-1220
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.0×2.0×0.6
パッケージ寸法図 表示
SamacSys CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 SamacSysからダウンロード<br>(注1)(注2)

SamacSysからダウンロード
(注1)(注2)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1

SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル（シンボル/フットプリント/3Dモデル）はSupplyframe, Inc.によって提供されます。

注2

フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS -30 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +6/-12 V
ドレイン電流 ID -6.0 A
許容損失 PD 1.51 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - -1.2 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - -0.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 42 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 50 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 72 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 144 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 560 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=-4.5V 8.2 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2025年04月

2025年04月

2025年04月

2025年04月

2025年06月

2025年06月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

注3

ELDO™はSiemens Industry Software Inc.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその商標です。
Siemens Industry Software Inc.関連の商標リストについてはこちらをご覧ください。

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ

ご注意

リストへ戻る
別ウインドウにて開きます