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東芝 SiC MOSFETモジュールの特長
IGBTモジュールと比較して、SiC MOSFETモジュールの低損失特性により総損失(スイッチング損失＋導通損失) を低減できます。また、高速スイッチングおよび低損失動作により、フィルターとトランスおよびヒートシンクのサイズを縮小が可能となり、小型で軽量なシステムが実現可能となります。これにより、インバーターシステムの材料費の削減ができます。更にファンレス冷却システムの実現可能性により信頼性向上や、メンテナンスコスト削減に貢献します。
SiC MOSFETモジュールとIGBTモジュールの損失比較
条件：2Level回路 Fc=7.2kHz Fout=：50Hz, Iout=180Arms, Vdc=1090V
IGBTと比較してSiC MOSFETの低損失特性により、総損失の削減可能です。上記条件による試算では、約80%の損失削減となります。
SiC MOSFETモジュール採用システムとIGBTモジュール採用システムのトランスのサイズ比較例では91％の削減が実現。
高速スイッチングおよび低損失動作により、フィルターとトランスおよびヒートシンクのサイズを縮小が可能となり、小型で軽量なシステムが実現可能となります。
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