MG400V2YMS3

SiC MOSFETモジュール

製品概要

特長 オールSiC MOSFETタイプ
用途 大電力スイッチング用 (電力変換、モーター駆動)
回路構成 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 2-153A1A
実装区分 表面実装

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン電流 (DC) ID 400 A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 1700 V
チャネル温度 Tch 150

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ドレイン・ソース間 オン電圧(センス端子) (Typ.) VDS(on)sense ID=400A
Tch=25℃
VGS=20V
0.8 V
ソース・ドレイン間 オフ電圧(センス端子) (Typ.) VSD(off)sense IS=400A
Tch=25℃
VGS=-6V
1.6 V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.) Eon - 28 mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.) Eoff - 27 mJ
逆回復損失 (Typ.) Err - 0.7 mJ
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2022年08月

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アプリケーション

メガソーラーインバーター
メガソーラーインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、インバーター回路部、ゲート駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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