特長 | SiC MOSFET + SiC SBDタイプ |
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用途 | 大電力スイッチング用 (電力変換、モーター駆動) |
回路構成 | Low side chopper |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
東芝パッケージ名 | iXPLV |
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実装区分 | 表面実装 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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ドレイン電流 (DC) | ID | 800 | A |
ドレイン・ソース間電圧 | VDSS | 3300 | V |
チャネル温度 | Tch | 175 | ℃ |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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ドレイン・ソース間 オン電圧(センス端子) (Typ.) | VDS(on)sense | ID=800A Tch=25℃ VGS=20V |
1.3 | V |
ソース・ドレイン間 オフ電圧(センス端子) (Typ.) | VSD(off)sense | IS=800A Tch=25℃ VGS=-6V |
2.1 | V |
ターンオンスイッチング損失 (Typ.) | Eon | - | 230 | mJ |
ターンオフスイッチング損失 (Typ.) | Eoff | - | 230 | mJ |
逆回復損失 (Typ.) | Err | - | 10 | mJ |