MG800FXF2YMS3

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特長	オールSiC MOSFETタイプ
用途	大電力スイッチング用 (電力変換、モーター駆動)
回路構成	2in1
RoHS Compatible Product(s) (#)	適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名	iXPLV
外観
実装区分	表面実装
パッケージ寸法幅×長さ×高さ (mm)	144×99.5×40
パッケージ寸法図	表示

詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目	記号	値	単位
ドレイン電流 (DC)	I_D	800	A
ドレイン・ソース間電圧	V_DSS	3300	V
チャネル温度	T_ch	175	℃

電気的特性

項目	記号	測定条件	値	単位
ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子) (Typ.)	V_DS(on)sense	I_D=800A T_ch=25℃ V_GS=20V	1.3	V
ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子) (Typ.)	V_SD(off)sense	I_S=800A T_ch=25℃ V_GS=-6V	2.1	V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.)	E_on	-	230	mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.)	E_off	-	230	mJ
逆回復損失 (Typ.)	E_rr	-	12	mJ

ドキュメント

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データシート MG800FXF2YMS3 データシート/日本語

PDF: 743KB

2023年12月

データシート MG800FXF2YMS3 データシート/英語

PDF: 597KB

2023年10月

シミュレーションモデル LTspiceモデル (注) ZIP

ZIP: 136KB

2022年08月

アプリケーションノート SiC MOSFET モジュール iXPLV アプリケーションノート取り扱い方法

PDF: 1073KB

2024年06月

アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールアプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性

PDF: 1624KB

2024年06月

アプリケーションノート SiC MOSFET モジュールゲートドライブ　アプリケーションノート

PDF: 855KB

2024年06月

アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの信頼性

PDF: 887KB

2024年06月

アプリケーションノートインバータ回路(DC/AC変換)

PDF: 2246KB

2018年07月

注	LTspice ^®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

ご注意

各品番には、複数の製品が存在する場合があります。RoHS Compatible Product(s) (#)欄の「適合品あり」は、適合品が含まれていることをあらわします。
RoHS適合性の情報は、弊社材料調達先から取得した時点の調査回答に基づいて作成しております。また、情報は予告なく変更されることがあります。
本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
信頼性データは参考情報であり、ご採用およびご使用に関する製品情報は弊社営業窓口までお問い合わせください。
本ウェブサイトに掲載されている品番は、納品の際、品番の末尾に付加情報が追加されるなど品番が異なる場合がございます。詳細は、お取引のございます営業窓口、ご購入先窓口、またはお近くの弊社国内営業窓口までご確認ください。

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