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MG800FXF2YMS3

開発中

SiC MOSFETモジュール

製品概要

特長 オールSiC MOSFETタイプ
用途 大電力スイッチング用 (電力変換、モータ駆動)
回路構成 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) お問合せください

パッケージ

東芝パッケージ名 iXPLV
実装区分 リード挿入

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン電流 (DC) ID 800 A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 3300 V
チャネル温度 Tch 175

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ドレイン・ソース間 オン電圧(センス端子) (Typ.) VDS(on)sense ID=800A
Tch=25℃
VGS=20V
1.3 V
ソース・ドレイン間 オフ電圧(センス端子) (Typ.) VSD(off)sense IS=800A
Tch=25℃
VGS=-6V
2.1 V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.) Eon - 250 mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.) Eoff - 240 mJ
逆回復損失 (Typ.) Err - 10 mJ
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