MG800FXF2YMS3

SiC MOSFETモジュール

データシート

MG800FXF2YMS3 データシート/日本語[2023年12月]PDF: 743KB

データシート

MG800FXF2YMS3 データシート/英語[2023年10月]PDF: 597KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2022年08月]ZIP: 136KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール iXPLV アプリケーションノート 取り扱い方法[2024年06月]PDF: 1073KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュール アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性[2024年06月]PDF: 1624KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール アプリケーションノート ゲートドライブ[2024年06月]PDF: 882KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュールの信頼性[2024年06月]PDF: 887KB

アプリケーションノート

インバータ回路(DC/AC変換)[2018年07月]PDF: 2246KB

データシート

MG800FXF2YMS3 データシート/日本語[2023年12月]PDF: 743KB

データシート

MG800FXF2YMS3 データシート/英語[2023年10月]PDF: 597KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール iXPLV アプリケーションノート 取り扱い方法[2024年06月]PDF: 1073KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュール アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性[2024年06月]PDF: 1624KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール アプリケーションノート ゲートドライブ[2024年06月]PDF: 882KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュールの信頼性[2024年06月]PDF: 887KB

アプリケーションノート

インバータ回路(DC/AC変換)[2018年07月]PDF: 2246KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2022年08月]ZIP: 136KB

製品概要

特長 オールSiC MOSFETタイプ
用途 大電力スイッチング用 (電力変換、モーター駆動)
回路構成 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 iXPLV
実装区分 表面実装

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン電流 (DC) ID 800 A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 3300 V
チャネル温度 Tch 175 ℃

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ドレイン・ソース間 オン電圧(センス端子) (Typ.) VDS(on)sense ID=800A
Tch=25℃
VGS=20V		 1.3 V
ソース・ドレイン間 オフ電圧(センス端子) (Typ.) VSD(off)sense IS=800A
Tch=25℃
VGS=-6V		 2.1 V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.) Eon - 230 mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.) Eoff - 230 mJ
逆回復損失 (Typ.) Err - 12 mJ
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2022年08月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

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