第2世代SiC MOSFET/IGBT　スイッチング損失比較

新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)　と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
当社の1200V耐圧SiCMOSは低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗で産業用AC400 V入力のAC-DCコンバーター、太陽電池モジュール、UPS用双方向DC-DCコンバーターなどに最適です。
1200 V耐圧Si絶縁ゲート型バイポーラートランジスター (IGBT) GT40QR21と比べて[注1]、ターンオフスイッチング損失を約80 %、スイッチング時間 (下降時間) を約70 %低減するとともに、20 A以下のドレイン電流で低オン電圧特性になっています。また、ゲートしきい値電圧 が4.2 V～5.8 Vと高くなっており誤動作しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD) を内蔵したことで、電力損失が低減されます。

[注1]　@周囲温度25 ℃

ターンオフスイッチング損失比較<sup>[注2]</sup>
ターンオフスイッチング損失比較[注2]
ターンオフ波形比較<sup>[注2]</sup>
ターンオフ波形比較[注2]

[注2]　GT40QR21の試験条件: VCC=800 V、IC=10 A、RG=47 Ω、Ta=25 ℃、VGE=20 V/-5 V、
誘電負荷：L=300 μH、TW070J120Bのソース・ドレイン間ダイオードを誘導負荷と並列にフリーホイーリングダイオード(Free Wheeling Diode: FWD)として使用
TW070J120Bの試験条件: VDD=800 V、ID=10 A、RG=47 Ω、Ta=25 ℃、VGS=20 V/-5 V、
誘電負荷：L=300 μH、TW070J120Bのソース・ドレイン間ダイオードを誘導負荷と並列にFWDとして使用

導通特性比較
導通特性比較

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