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高周波スイッチIC

LTE対応スマートフォンRFブロック

スマートフォン向け高周波フロントエンド用アンテナスイッチに適しています。
東芝高周波スイッチICを使用することで、世界各地で導入の進むLTEや、今後導入が予定されているLTE-Advancedに対応した高周波フロントエンドモジュールを実現することができます。

TarfSOI™ :Toshiba advanced RF SOI注1

東芝はSOI(Silicon on insulator)技術を用いた独自プロセス「TarfSOI™:Toshiba advanced RF SOI」注1の新世代プロセスTaRF5を開発致しました。世界最小クラス注2の挿入損失とサイズを実現しています。TaRF5製品では、既存プロセスTaRF3製品に比べ挿入損失(f = 2.7 GHz)を約25%、サイズを約40%(SP10Tの場合)低減を実現致しています。

Insertion loss on SP10T

注1 TarfSOI™は株式会社東芝の登録商標です。

注2 2013年6月28日現在。高周波アンテナスイッチ市場において当社調べ。

製品一覧表

製品名称 構成 制御
TCWA1301 SP3T All Rx GPIO
TCWA1402 SP4T All Rx GPIO
TCWA1403 SP4T All Tx GPIO
TCWA1501 SP5T All Tx GPIO
TCWA1601 SP6T All Tx GPIO
TCWA1602 SP6T 2Tx/2TRx/2Rx GPIO
TCWA1802 SP8T All Tx GPIO
TCWA1805 SP8T 2Tx/6TRx GPIO
TCWA1806 SP8T All Rx GPIO
TCWA1813 SP8T All Tx GPIO
TCWA1A01 SP10T All Tx GPIO
TCWA1B01 SP11T All Rx GPIO
TCWA1C01 SP12T All Tx GPIO
TCWB2601 SP3T+SP3T differential GPIO
TCWB2805 SP4T+SP4T differential GPIO
TCWB2A01 SP5T+SP5T differential GPIO
TCWA1A05 SP10T All Tx mipi
TCWA1C04 SP12T All Tx mipi

* 製品形態は全てChipBGA

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