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MOSFETゲートドライバーICとは、MOSFETのゲート電圧を制御することでオン・オフのスイッチングを行うICです。当社MOSFETゲートドライバーICは昇圧回路や保護回路を内蔵しているほか、超小型パッケージ(1.2 × 0.8 mm)、低消費電流、高い最大入力電圧、安定したゲート昇圧電圧を特長としており、MOSFETと組み合わせにより小型かつ低損失の電源ラインを提供します。当社では幅広い過電圧保護動作しきい値電圧をラインアップしております。

図1:ロードスイッチ回路の例 (シングルハイサイド、バック・トゥ・バック)
図1:ロードスイッチ回路の例 (シングルハイサイド、バック・トゥ・バック)
図2:パワーマルチプレクサー回路の例
図2:パワーマルチプレクサー回路の例
TCK4xxG + Nch MOSFET

シングルハイサイド接続、逆流防止のバック トゥ バック、複数入力のパワーマルチプレクサなど使用方法は多岐にわたります。

様々なタイプの当社Nch MOSFETと組み合わせが可能です。また、当社MOSFETとの組み合わせにおいてシミュレーションのご提供、スイッチング評価、SOAなど各種サポートも承っております。

パワーマルチプレクサー回路

MOSFETゲートドライバーと外付けバック・トゥ・バックMOSFETを用いて2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現、以下よりダウンロードが可能になっています。

パワーマルチプレクサー回路

品番 TCK401G TCK402G TCK420G TCK421G TCK422G TCK423G TCK424G TCK425G
データシート PDF(986KB) PDF(3156KB)
在庫検索 StockChecking StockChecking StockChecking StockChecking StockChecking StockChecking StockChecking StockChecking
最大入力電圧 
VIN max
40 V
動作電圧範囲 
VIN
2.7 to 28 V
ゲート昇圧電圧 
VGATE
4 to 10 V (VIN 依存あり) 10 V 5.6 V
パッケージ WCSP6E
(1.2 × 0.8 mm, t:0.55 mm)
WCSP6G
(1.2 × 0.8 mm, t:0.35 mm)

過電圧保護(OVLO)

しきい値電圧

28 V 27.73 V 23.26 V 14.29 V 10.83 V 6.31 V

入力低電圧誤動作防止(UVLO)

しきい値電圧

2.7 V 2 V
使用方式

コモンソース

(シングルハイサイド可)

コモンドレイン

(シングルハイサイド可)

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