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以下説明にはNPN型トランジスターを例にしています。
項目 | 記号 | 測定条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
---|---|---|---|---|---|---|
1. コレクターしゃ断電流 | ICBO | VCB = 60 V, IE = 0 | — | — | 0.1 | µA |
2. エミッターしゃ断電流 | IEBO | VEB = 5 V, IC = 0 | — | — | 0.1 | µA |
3. 直流電流増幅率 | hFE(1)(注) | VCE = 6 V, IC = 2mA | 70 | — | 700 | |
hFE(2) | VCE = 6 V, IC = 150 mA | 25 | 100 | — | ||
4. コレクター・エミッター間飽和電圧 | VCE(SAT) | IC = 100 mA, IB = 10 mA | — | 0.1 | 0.25 | V |
5. ベース・エミッター間飽和電圧 | VBE(SAT) | IC = 100 mA, IB = 10 mA | — | — | 1.0 | V |
トランジション周波数 | fT | VCE = 10 V, IC = 1 mA | 80 | — | — | MHz |
コレクター出力容量 | Cob | VCB = 10 V, IE = 0, f = 1MHz | — | 2.0 | 3.5 | pF |
ベース拡がり抵抗 | rbb' | VCE = 10 V, IE = -1mA, f = 30MHz | — | 50 | — | Ω |
雑音指数 | NF | VCE = 6 V, IC = 0.1 mA, f = 1 kHz, RG = 10 kΩ | — | 1 | 10 | dB |
ICBOの測定
2. エミッターしゃ断電流
IEBOの測定
3. 直流電流増幅率
直流電流増幅率hFEの測定
規定のコレクター電流になる様にベース・エミッター間電圧VBEを増加させ規定のコレクター電流ICになる様に調整その時のベース電流IBを測定し、次式により直流電流増幅率hFEを算出する。
hFE=IC/IB
直流電流増幅率hFE特性例
4. コレクター・エミッター間飽和電圧
コレクター・エミッター間飽和電圧VCE(sat)の測定
規定のコレクター電流ICを定電流で印加しベース・エミッター間VBEを増加させ、規定のベース電流IBになる様に調整し、コレクター-エミッター間電圧を測定する 。
(注)定電流電源のオープン電圧は必ずコレクター-エミッター間耐圧電圧以下になる様にしてください。
コレクター・エミッター間飽和電圧VCE(sat)例
5. ベース・エミッター間飽和電圧
ベース・エミッター間飽和電圧VBE(sat)の測定
規定のコレクター電流ICを定電流で印加しベース・エミッター間VBEを増加させ、規定のベース電流IBになる様に調整し、ベース-エミッター間電圧を測定する 。
(注)定電流電源のオープン電圧は必ずコレクター-エミッター間耐圧電圧以下になる様にしてください。
ベース・エミッター間飽和電圧VBE(sat)例