バイポーラートランジスター 電気的項目について

以下説明にはNPN型トランジスターを例にしています。

電気的項目
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
1. コレクターしゃ断電流 ICBO VCB = 60 V, IE = 0 — — 0.1 µA
2. エミッターしゃ断電流 IEBO VEB = 5 V, IC = 0 — — 0.1 µA
3. 直流電流増幅率 hFE(1)(注) VCE = 6 V, IC = 2mA 70 — 700  
hFE(2) VCE = 6 V, IC = 150 mA 25 100 —
4. コレクター・エミッター間飽和電圧 VCE(SAT) IC = 100 mA, IB = 10 mA — 0.1 0.25 V
5. ベース・エミッター間飽和電圧 VBE(SAT) IC = 100 mA, IB = 10 mA — — 1.0 V
トランジション周波数 fT VCE = 10 V, IC = 1 mA 80 — — MHz
コレクター出力容量 Cob VCB = 10 V, IE = 0, f = 1MHz — 2.0 3.5 pF
ベース拡がり抵抗 rbb' VCE = 10 V, IE = -1mA, f = 30MHz — 50 — Ω
雑音指数 NF VCE = 6 V, IC = 0.1 mA, f = 1 kHz, RG = 10 kΩ — 1 10 dB
  • 注：hFE(1)分類　O:70～140, Y:120～240, GR:200～400, BL:350～700
1. コレクターしゃ断電流

ICBOの測定

 

2. エミッターしゃ断電流

IEBOの測定


3. 直流電流増幅率

直流電流増幅率hFEの測定

 

規定のコレクター電流になる様にベース・エミッター間電圧VBEを増加させ規定のコレクター電流ICになる様に調整その時のベース電流IBを測定し、次式により直流電流増幅率hFEを算出する。
hFE=IC/IB

　

直流電流増幅率hFE特性例

 

4. コレクター・エミッター間飽和電圧

コレクター・エミッター間飽和電圧VCE(sat)の測定

 

規定のコレクター電流ICを定電流で印加しベース・エミッター間VBEを増加させ、規定のベース電流IBになる様に調整し、コレクター-エミッター間電圧を測定する 。

(注)定電流電源のオープン電圧は必ずコレクター-エミッター間耐圧電圧以下になる様にしてください。

　

コレクター･エミッター間飽和電圧VCE(sat)例

 

5. ベース・エミッター間飽和電圧

ベース・エミッター間飽和電圧VBE(sat)の測定

 

規定のコレクター電流ICを定電流で印加しベース・エミッター間VBEを増加させ、規定のベース電流IBになる様に調整し、ベース-エミッター間電圧を測定する 。

(注)定電流電源のオープン電圧は必ずコレクター-エミッター間耐圧電圧以下になる様にしてください。

　

ベｰス･エミッター間飽和電圧VBE(sat)例

 

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