バイポーラートランジスターの電気的特性の測定方法について教えてください

データーシート記載の電気的特性（遮断電流、電流増幅率、飽和電圧）の測定回路例を示します。
各項目の説明はFAQ（バイポーラートランジスターの電気的特性について教えてください）を参照してください。
ここで説明する電気的特性はデーターシートでは表-1のように記載されています。

各項目の測定方法を以下に示します。半導体の特性は温度による影響を大きく受けます。室温だけでなく測定時の損失（電圧・電流）による変動も考える必要があります。測定時の室温の管理だけでなく、電圧・電流を流す時間も考慮ください。トランジスターの温度上昇を抑えるために、可能であればパルスでの測定を行ってください。

1. コレクター遮断電流　I_CBO：（図-1）

絶対最大定格に記載されているコレクター・ベース間電圧 V_CBO と対になる電気的特性です。エミッター開放の状態でベース・コレクター間のpn接合が逆バイアスになるように電圧を印加し、電流を測定します。コレクター・ベース間に印加する電圧V_CBは絶対最大定格の電圧ですので、電圧値が規定値を超えないように注意をする必要があります。また I_CBOはコレクター・ベース間のリーク電流ですので、温度により変動します。

2. エミッター遮断電流　I_EBO：（図-2）

絶対最大定格に記載されているコレクター・ベース間電圧　V_EBOと対になる電気的特性です。コレクター開放の状態でベース・エミッター間のpn接合が逆バイアスになるように電圧を印加し、電流を測定します。エミッター・ベース間に印加する電圧V_EBは絶対最大定格の電圧ですので、電圧値が規定値を超えないように注意をする必要があります。 またI_EBOはエミッター・ベース間のリーク電流ですので、温度により変動します。

3. 直流電流増幅率　h_FE　：（図-3）

コレクター・エミッター間に既定の電圧V_CEを印加し目標のコレクター電流I_Cになるようにベース・エミッター間の電圧V_BEを調節します。この時のベース電流I_Bを測定し、次式の計算の結果がh_FEです。　h_FE ＝ I_C / I_B
尚、h_FEは温度依存性があります。（図-4）
図-5に示すようにアーリー効果によりh_FEは変化します。ベース幅の狭い高周波トランジスターではより大きな変化となります。

4. コレクター・エミッター間飽和電圧　V_CE(sat)　：（図-6）

図-6に示す回路で、まずベース・エミッター間に0.6 V程度の電圧を電圧源V_BEで印加します。その後、コレクター電流I_Cを規定の電流になるまで徐々に増加させながら印加します。次にベース電圧V_BEをベース電流I_Bが規定の値になるまで変化させます。I_Bが規定の電流になった時のコレクター・エミッター間の電圧V_CEを測定します。この電圧がV_CE(sat)です。
コレクター側の電流源はトランジスターがオフ状態で印加すると異常な高電圧になりトランジスターが破壊する可能性があります。絶対最大定格に記載しているコレクター・エミッター間電圧V_CEO以下になるように電流源のオープン電圧を事前に設定してください。また、V_CE(sat)は温度依存性があります（図-7）。