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近年、電子機器セットの小型化、高密度実装、高い周囲温度などの厳しい使用環境により、使用される電子部品の選定、配置、基板設計などの際にさまざまな熱の問題が発生します。そのため、伝熱の三つの形態 (熱伝導、対流、放射) を含めた熱シミュレーションを用いた熱設計の重要性が高まっています。
熱シミュレーションを行うためにはセットの筐体や基板、搭載している部品などの熱モデルが必要となります。当社は、MOSFETを中心に熱シミュレーションに適する簡略化したCFDモデルを作成し、公開を開始しました。この簡易CFDモデルを熱流体解析ツールで使用することで、三次元の挙動 (温度分布や流速) を可視化したシミュレーション結果を得ることができます。
簡易CFDモデルの使用方法は、アプリケーションノートをご参照ください。
図2は、MOSFETに損失を与え発熱させたシミュレーション結果となります。MOSFETの温度上昇に伴う基板やヒートシンクへの熱の広がりを確認できます。
図3は、流速や解析時に設定したチャンバー内の熱の流れを表示した例です。セット周辺の流体 (空気) の速さや経路を確認することができます。
簡易CFDモデルがある対象MOSFET一覧は下記のWebページをご参照ください。