2SC6026MFV

低周波増幅用トランジスター

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データシート

2SC6026MFV データシート/日本語[2014年03月]PDF: 234KB

データシート

2SC6026MFV データシート/英語[2014年03月]PDF: 162KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2017年09月]ZIP: 2KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年03月]ZIP: 6KB

信頼性情報

信頼性データ[2025年07月]PDF: 329KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2025年10月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2025年10月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

小型面実装 バイポーラトランジスタの最大定格[2022年01月]PDF: 995KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:熱安定度と放熱設計[2021年03月]PDF: 659KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格[2021年03月]PDF: 743KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:特性と等価回路[2021年01月]PDF: 697KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格と電気的特性の用語集[2021年01月]PDF: 691KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2025 Rev1.2[2025年07月]PDF: 8102KB

カタログ

ミニカタログ 東芝小型パッケージトランジスター製品のご紹介[2025年05月]PDF: 784KB

データシート

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データシート

2SC6026MFV データシート/英語[2014年03月]PDF: 162KB

アプリケーションノート

小型面実装 バイポーラトランジスタの最大定格[2022年01月]PDF: 995KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:熱安定度と放熱設計[2021年03月]PDF: 659KB

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バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格[2021年03月]PDF: 743KB

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バイポーラトランジスタアプリケーションノート:特性と等価回路[2021年01月]PDF: 697KB

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バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格と電気的特性の用語集[2021年01月]PDF: 691KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2017年09月]ZIP: 2KB

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カタログ

ミニカタログ 東芝小型パッケージトランジスター製品のご紹介[2025年05月]PDF: 784KB

製品概要

用途 汎用
極性 NPN
相補品形名 2SA2154MFV
備考 hFEによるランク品設定あり
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-723 (VESM)
外観 東芝 2SC6026MFV 低周波増幅用トランジスター製品のVESMパッケージ画像
JEITA SC-105AA
パッケージコード SOT-723
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 1.2×1.2×0.5
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
Ultra Librarian® CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード<br>(注1)(注3)

UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード
(注1)(注3)
SamacSys CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 SamacSysからダウンロード<br>(注2)(注3)

SamacSysからダウンロード
(注2)(注3)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1

Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADモデルライブラリおよびその登録商標です。CADモデル(Symbol/Footprint /3D model)は、Ultra Librarian®によって提供されます。

注2

SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル（シンボル/フットプリント/3Dモデル）はSupplyframe, Inc.によって提供されます。

注3

フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
コレクター電流 IC 0.15 A
コレクター-エミッター間電圧 VCEO 50 V

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
直流電流増幅率 (Max) hFE IC=0.002A
VCE=6V		 400 -
直流電流増幅率 (Min) hFE IC=0.002A
VCE=6V		 120 -
コレクター-エミッター間 飽和電圧 (Max) VCE(sat) IB=10mA
IC=0.1A		 0.25 V
トランジション周波数 (Min) fT IC=0.001A
VCE=10V		 60 MHz
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2017年09月

2019年03月

2025年07月

2025年10月

2025年10月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
2SC6026MFV-Y,L3F 8000 Yes - 一般用途
2SC6026MFVG,L3XG 8000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)
2SC6026MFVGR,L3F 8000 Yes - 一般用途
2SC6026MFVY,L3XG 8000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)

(注)：詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


リファレンスデザイン

これは、SiC MOSFETモジュール用ゲートドライバー の画像です。
SiC MOSFETモジュール用ゲートドライバー
近年、産業用モータードライブや鉄道用インバーターなどの電力変換装置では小型化、損失低減を目的に、従来のSi系パワーデバイスに代わりSiC MOSFETを搭載したSiC MOSFETモジュールの採用が進んでいます。各種保護機能を搭載し、このSiC MOSFETモジュールを安全に駆動するゲートドライバー回路です。
本デザインは、外付けバッファー用MOSFETによる大電流ゲート駆動が可能で各種保護機能が内蔵されたプリドライバーカプラーTLP5231を使用することで、大電流／高電圧SiC MOSFETモジュールを絶縁ゲート駆動します。ハイサイドとローサイドの2チャンネル構成を62mm × 100mmの基板サイズで実現し、当社Dual MOSFETモジュールにビルトイン可能です。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
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