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TK160F10N1L

新規設計非推奨

パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)

製品概要

用途 DC-DCコンバータ / 車載 / スイッチングレギュレータ / モータドライブ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-220SM(W)
外観 TO-220SM(W)
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
10.0×13.0×3.5
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 100 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 160 A
許容損失 PD 375 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 3.7
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 2.4
入力容量 (Typ.) Ciss - 10100 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 122 nC

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。
名称 日付

2016年05月

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