TPW1R104PB

パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V)

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データシート

TPW1R104PB データシート/日本語[2020年06月]PDF: 741KB

データシート

TPW1R104PB データシート/英語[2020年06月]PDF: 635KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2021年06月]ZIP: 42KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2021年07月]ZIP: 46KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2024年08月]ZIP: 9KB

シミュレーションモデル

ELDOモデル[2024年08月]ZIP: 11KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2023年03月]ZIP: 12KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 331KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

車載用MOSFET DSOP Advance(WF)パッケージの放熱効果と実装上の注意点[2022年09月]PDF: 1557KB

アプリケーションノート

300W 絶縁型DC-DC コンバーターの効率評価と損失分析[2021年09月]PDF: 1784KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

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シミュレーションモデル

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ELDOモデル[2024年08月]ZIP: 11KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2023年03月]ZIP: 12KB

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信頼性データ[2024年10月]PDF: 331KB

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製品概要

用途 DC-DCコンバーター / 車載 / モータードライブ / ロードスイッチ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅨ-H
内部接続 シングル
PPAP 提供可能(※)
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 DSOP Advance(WF)M
外観 DSOP Advance(WF)M
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 5.0×6.0×0.76
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 40 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 120 A
許容損失 PD 132 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 1.96 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 1.14 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 4560 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 55 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2021年06月

2021年07月

2024年08月

2024年08月

2023年03月

2024年10月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

注3

ELDO™はSiemens Industry Software Inc.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその商標です。
Siemens Industry Software Inc.関連の商標リストについてはこちらをご覧ください。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101
TPW1R104PB,L1Q 5000 Yes -
TPW1R104PB,L1XHQ 5000 - Yes Yes

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