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最新世代 二重拡散型MOSFET(D-MOS) π-MOSⅨシリーズ

低ノイズ

π-MOSシリーズはD-MOS(Double Diffusion MOS)構造を採用しており、200Vから900Vまでの幅広い電圧定格でラインアップを有しております。そのなかでも600V耐圧品につきましては最新の第9世代品であるπ-MOSⅨシリーズをラインアップしています。
π-MOSⅨシリーズは市場実績のある600V耐圧の従来製品であるπ-MOSⅦシリーズから容易に置き換えられるように、二重拡散構造のデザイン最適化を行い、高効率・低ノイズ・高破壊耐量を実現しました。

当社のπ-MOSⅨシリーズはチップデザインの最適化を行うことで、当社従来製品であるπ-MOSⅦシリーズや競合他社の同等定格品との比較において、同等レベルの電力変換効率を達成しつつ、EMI(放射)ノイズを低く抑えることができました。そのため、アダプターなどのスイッチング電源設計において、MOSFET以外の周辺部品を変更せずに、従来同等の特性を得ることができ、従来製品からの置き換えが容易です。

Radiative EMI performance @ 65W notebook PC adapterr / Vertical
Radiative EMI performance @ 65W notebook PC adapter / Horizontal

65W出力のノートPCアダプターでのEMI(放射)ノイズ評価において、π-MOSⅨシリーズのTK750A60Fは当社従来製品π-MOSⅦシリーズの同等定格品であるTK10A60D(いずれも600V/0.75ΩMAX./TO-220SISパッケージ)と比較して、MOSFETの周辺回路定数(ドレイン-ソース間の容量値やゲートのシリーズ抵抗など)を変更することなく水平・垂直両方向の放射ノイズの低減(ピークで約5dB)を実現しております。

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