SSM6L820R

小信号MOSFET 2 in 1

データシート

SSM6L820R データシート/日本語[2024年08月]PDF: 916KB

データシート

SSM6L820R データシート/英語[2024年08月]PDF: 812KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2020年05月]ZIP: 3KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 17KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年11月]PDF: 329KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

データシート

SSM6L820R データシート/日本語[2024年08月]PDF: 916KB

データシート

SSM6L820R データシート/英語[2024年08月]PDF: 812KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2020年05月]ZIP: 3KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 17KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年11月]PDF: 329KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ
極性 N-ch + P-ch
世代 U-MOSⅦ-H / U-MOSⅥ
内部接続 独立
PPAP 提供可能(※)
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 TSOP6F
外観 TSOP6F
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 (Q1) VDSS 30 V
ゲート-ソース間電圧 (Q1) VGSS -8/+12 V
ドレイン電流 (Q1) ID 4 A
ドレイン-ソース間電圧 (Q2) VDSS -20 V
ゲート-ソース間電圧 (Q2) VGSS -12/+6 V
ドレイン電流 (Q2) ID -4 A
許容損失 PD 1.4 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Q1) (Max) Vth - 1.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1) (Max) RDS(ON) VGS=1.8V 82 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1) (Max) RDS(ON) VGS=2.5V 53 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1) (Max) RDS(ON) VGS=4.5V 39.1 mΩ
入力容量 (Q1) (Typ.) Ciss - 310 pF
ゲート入力電荷量 (Q1) (Typ.) Qg VGS=4.5V 3.2 nC
ゲートしきい値電圧 (Q2) (Max) Vth - -1.2 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-10V 45 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-4.5V 56 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-2.5V 76 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-1.8V 157 mΩ
入力容量 (Q2) (Typ.) Ciss - 480 pF
ゲート入力電荷量 (Q2) (Typ.) Qg VGS=-4.5V 6.7 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2020年05月

2024年02月

2024年11月

2024年11月

2024年11月

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
SSM6L820R,LF 3000 Yes - 一般用途
SSM6L820R,LXGF 3000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)
SSM6L820R,LXHF 3000 - Yes Yes 車載用途

(注)：詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


アプリケーション

メガソーラーインバーター
メガソーラーインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、インバーター回路部、ゲート駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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