SSM6N815R

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用途	パワーマネジメントスイッチ
極性	N-ch×2
世代	U-MOSⅧ-H
内部接続	独立
構成要素形名 (Q1)	SSM6N815R
構成要素形名 (Q2)	SSM6N815R
RoHS Compatible Product(s) (#)	適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名	TSOP6F
外観
ピン数	6
実装区分	表面実装
パッケージ寸法幅×長さ×高さ (mm)	2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図	表示
参考パッド寸法図	表示
CADデータ (シンボル/フットプリント/3Dモデル)	UltraLibrarian^®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注：Ultra Librarian^® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目	記号	値	単位
ドレイン-ソース間電圧 (Q1/Q2)	V_DSS	100	V
ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2)	V_GSS	+/-20	V
ドレイン電流 (Q1/Q2)	I_D	2.0	A
許容損失	P_D	1.4	W

電気的特性

項目	記号	測定条件	値	単位
ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max)	V_th	-	2.5	V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=4V	180	mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=4.5V	142	mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=10V	103	mΩ
入力容量 (Q1/Q2) (Typ.)	C_iss	-	290	pF
ゲート入力電荷量 (Q1/Q2) (Typ.)	Q_g	V_GS=4.5V	3.1	nC

ドキュメント

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データシート SSM6N815R データシート/日本語

PDF: 537KB

2017年08月

データシート SSM6N815R データシート/英語

PDF: 430KB

2017年08月

シミュレーションモデル PSpiceモデル lib

lib: 3KB

2017年10月

信頼性情報信頼性データ

PDF: 331KB

2024年10月

UPDATED 環境関連情報欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書

PDF: 124KB

2024年11月

UPDATED 環境関連情報 REACH SVHCに関する証明書

PDF: 104KB

2024年11月

アプリケーションノート簡易CFDモデルアプリケーションノート

PDF: 1433KB

2022年11月

アプリケーションノート小型面実装 MOSFET 使用上の注意点

PDF: 1091KB

2022年01月

カタログセレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0

PDF: 10837KB

2024年07月

カタログセレクションガイド小信号 2024 Rev2.0

PDF: 15538KB

2024年07月

カタログミニカタログ小型パッケージMOSFETのご紹介

PDF: 1167KB

2024年07月

オーダー品番（代表例）	MOQ(pcs)	信頼性データ	RoHS	備考
SSM6N815R,LF	3000		Yes	一般用途

ご注意

各品番には、複数の製品が存在する場合があります。RoHS Compatible Product(s) (#)欄の「適合品あり」は、適合品が含まれていることをあらわします。
RoHS適合性の情報は、弊社材料調達先から取得した時点の調査回答に基づいて作成しております。また、情報は予告なく変更されることがあります。
本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
信頼性データは参考情報であり、ご採用およびご使用に関する製品情報は弊社営業窓口までお問い合わせください。
本ウェブサイトに掲載されている品番は、納品の際、品番の末尾に付加情報が追加されるなど品番が異なる場合がございます。詳細は、お取引のございます営業窓口、ご購入先窓口、またはお近くの弊社国内営業窓口までご確認ください。

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