TJ200F04M3L

新規設計非推奨

パワーMOSFET (P-ch 1素子)

製品概要

用途 DC-DCコンバーター / 車載 / モータードライブ
極性 P-ch
世代 U-MOSⅥ
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-220SM(W)
外観 TO-220SM(W)
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
10.0×13.0×3.5
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注:Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS -40 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +10/-20 V
ドレイン電流 ID -200 A
許容損失 PD 375 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - -3.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - -2.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 1.8
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 2.6
入力容量 (Typ.) Ciss - 12800 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=-10V 460 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 90 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 104 nC

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2015年08月

アプリケーション

V2X
V2Xの設計では、電源・信号ノイズの低減や低消費電力化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、RFブロック部、電源部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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