TW045N120C

パワー SiC MOSFET

  • 関連リファレンスデザイン(1)

製品概要

用途 スイッチングレギュレーター用
極性 N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-247
外観 TO-247
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
15.94×20.95×5.02
パッケージ寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 1200 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +25/-10 V
ドレイン電流 ID 40 A
許容損失 PD 182 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 5.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Typ.) RDS(ON) |VGS|=18V 45
入力容量 (Typ.) Ciss - 1969 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg - 57 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2023年05月

2023年04月

2023年04月

2023年10月

2022年10月

2024年11月

2024年11月

注1

LTspice ®はADI社(Analog Devices、Inc.)のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ

ご注意

リストへ戻る
別ウインドウにて開きます