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第2世代SiC MOSFETの特長
新材料シリコンカーバイド (SiC) の絶縁破壊強度はシリコン（Si）の約10倍であるため低オン抵抗の高耐圧パワーMOSFETを実現することができ、同耐圧の場合は、シリコン（Si）と比較し単位面積当たりのオン抵抗を低減することができます。
また1000V以上の高耐圧では一般的にSi IGBT（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)が使用されますが、Si IGBTはバイポーラーデバイスであるため、少数キャリアである正孔の蓄積によってターオフ時にテール電流が発生しターンオフ損失が大きくなります。
一方でSiC MOSFETは、高耐圧品でも電子のみで動作するユニポーラーデバイスであるため、テール電流が発生せず、Si IGBTに対してターンオフ損失が小さくなります。そのため、SiC MOSFETは、Si IGBTでは困難な高周波領域での動作が可能であり、受動部品の小型化にも貢献するなど大きなメリットがあります。
当社の第2世代SiC MOSFETは従来のシリコン Si IGBTと比べて高速スイッチング(低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗特性を実現しています。
また、他社SiC MOSFETと比較して広いゲート・ソース間電圧 (VGSS)規格[注1] を有していることから、ゲートドライブ設計を容易にします。さらに高いゲートしきい値電圧 (Vth)仕様[注2]により誤動作を防ぐことができます。
[注1] VGSS : -10 V ~ 25 V (TW070J120Bの場合）
[注2] Vth : 4.2 V ~ 5.8 V (TW070J120Bの場合）
