品番検索

クロスリファレンス検索

About information presented in this cross reference

クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

キーワード検索

パラメトリック検索

オンラインディストリビューター在庫検索

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

カテゴリから製品を探す

新材料シリコンカーバイド (SiC) の絶縁破壊強度はシリコン(Si)の約10倍であるため低オン抵抗の高耐圧パワーMOSFETを実現することができ、同耐圧の場合は、シリコン(Si)と比較し単位面積当たりのオン抵抗を低減することができます。
また1000V以上の高耐圧では一般的にSi IGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)が使用されますが、Si IGBTはバイポーラーデバイスであるため、少数キャリアである正孔の蓄積によってターオフ時にテール電流が発生しターンオフ損失が大きくなります。
一方でSiC MOSFETは、高耐圧品でも電子のみで動作するユニポーラーデバイスであるため、テール電流が発生せず、Si IGBTに対してターンオフ損失が小さくなります。そのため、SiC MOSFETは、Si IGBTでは困難な高周波領域での動作が可能であり、受動部品の小型化にも貢献するなど大きなメリットがあります。

ゲート入力電荷量とオン抵抗特性
ゲート入力電荷量とオン抵抗特性

当社の1200V耐圧SiC MOSFETは従来のシリコン Si IGBTと比べて高速スイッチング(低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗特性を実現しています。

V<sub>GSS</sub>とV<sub>th</sub>規格
VGSSとVth規格

また、他社SiC MOSFETと比較して広いゲート・ソース間電圧 (VGSS)規格[注1] を有していることから、ゲートドライブ設計を容易にします。さらに高いゲートしきい値電圧 (Vth)仕様[注2]により誤動作を防ぐことができます。

[注1] VGSS : -10 V ~ 25 V (TW070J120Bの場合)
[注2] Vth : 4.2 V ~ 5.8 V (TW070J120Bの場合)

ご検討の方へ

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ

ご購入、サンプルに関するお問い合わせ

オンラインディストリビューター在庫検索&Web少量購入

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

検索キーワード:

関連情報

別ウインドウにて開きます