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SiC MOSFETとSi IGBTとの損失比較

当社のシリコンカーバイド(SiC)MOSFETは産業機器向けのAC-DCコンバーター、太陽電池インバーター、UPS用双方向DC-DCコンバーターなどを対象としています。1200 V耐圧Si IGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター) と比べて高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現しており、ターンオフ損失を約77 %[注1]、ターンオン損失を約76%低減[注2]し、25 A以下のドレイン電流領域で低オン電圧特性になっています[注3]

ターンオフ損失 (SiC MOSFET vs Si IGBT)<sup>[注1]</sup>
ターンオフ損失 (SiC MOSFET vs Si IGBT)[注1]

[注1] A社製 IGBT 試験条件:VCC=800 V、IC=10 A、Ta= 150 ℃、VGE=20 V/-5 V、誘電負荷:L=1 mH

当社SiC MOSFET (TW070J120B)試験条件: VDD=800 V、ID=10 A、Ta= 150 ℃、VGS=20 V/-5 V、誘電負荷:L=1 mH

ターンオン損失 (SiC MOSFET vs Si IGBT)<sup>[注2]</sup>
ターンオン損失 (SiC MOSFET vs Si IGBT)[注2]

[注2] A社製 IGBT 試験条件 :外付けゲート抵抗 RG=150 Ω、 その他は、[注1]と同じ試験条件。

社SiC MOSFET (TW070J120B)試験条件:外付けゲート抵抗 RG=47 Ω、その他は、[注1]と同じ試験条件。

I<sub>D</sub>, I<sub>C</sub> - V<sub>DS</sub>, V<sub>CE</sub> (SiC MOSFET vs Si IGBT)<sup>[注3]</sup>
ID, IC - VDS, VCE (SiC MOSFET vs Si IGBT)[注3]

[注3] 当社SiC MOSFET (TW070J120B) とA社製 Si IGBTの比較 

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