MOSFETゲートドライバーICを用いたロードスイッチ回路例
当社MOSFETゲートドライバーICと当社MOSFETとの組み合わせは、良好なターンオン、ターンオフ動作と保護動作を実現します。また、コモンドレインタイプのMOSFETと組み合わせることで、小型、低損失、逆流防止の電源ラインが構築可能です。
5V電源ラインでの使用を想定した、TCK425GとコモンドレインタイプMOSFET SSM10N954Lの組み合わせ例を示します。
| 品番 | 特長 |
|---|---|
| TCK425G | 過電圧保護機能付きMOSFETゲートドライバーIC ゲート昇圧電圧: 5.6 V (typ.) 過電圧保護機能しきい値電圧: 6.31 V (typ.) パッケージ: WCSP6G |
| SSM10N954L | コモンドレインNチャネル MOSFET ソース・ソース間電圧: 12 V (絶対最大定格) ゲート・ソース間電圧: ± 8 V (絶対最大定格) ソース・ソース間オン抵抗: 2.1 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5 V パッケージ: TCSPAC-153001 |
突入電流や、出力電圧のオーバーシュート、アンダーシュートのないスムーズなターンオン、ターンオフ動作を実現します。
IC内部に過電圧保護動作機能を搭載しており、電源ラインを保護します。入力電圧が製品の過電圧保護しきい値を超えると保護機能がONし、出力を直ちに停止します。入力電圧が過電圧保護しきい値以下になると保護動作がOFFし、出力が復帰します。
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