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MOSFETゲートドライバーICを用いたロードスイッチ回路例

当社MOSFETゲートドライバーICと当社MOSFETとの組み合わせは、良好なターンオン、ターンオフ動作と保護動作を実現します。また、コモンドレインタイプのMOSFETと組み合わせることで、小型、低損失、逆流防止の電源ラインが構築可能です。

MOSFETゲートドライバーICを用いたロードスイッチ回路例

5V電源ラインでの使用を想定した、TCK425GとコモンドレインタイプMOSFET SSM10N954Lの組み合わせ例を示します。

品番 特長
TCK425G 過電圧保護機能付きMOSFETゲートドライバーIC
ゲート昇圧電圧: 5.6 V (typ.)
過電圧保護機能しきい値電圧: 6.31 V (typ.)
パッケージ: WCSP6G
SSM10N954L コモンドレインNチャネル MOSFET
ソース・ソース間電圧: 12 V (絶対最大定格)
ゲート・ソース間電圧: ± 8 V (絶対最大定格)
ソース・ソース間オン抵抗: 2.1 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5 V
パッケージ: TCSPAC-153001
ターンオン、ターンオフ動作波形

突入電流や、出力電圧のオーバーシュート、アンダーシュートのないスムーズなターンオン、ターンオフ動作を実現します。

過電圧保護動作波形

IC内部に過電圧保護動作機能を搭載しており、電源ラインを保護します。入力電圧が製品の過電圧保護しきい値を超えると保護機能がONし、出力を直ちに停止します。入力電圧が過電圧保護しきい値以下になると保護動作がOFFし、出力が復帰します。

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