TCKE9シリーズの急速出力ディスチャージ機能について教えてください。

TCKE9シリーズでは「急速出力ディスチャージ機能」を搭載した“TCKE903QNA,TCKE905QNA”があります。

“TCKE9xxQNA”ではIC内部にディスチャージ用MOSFETが内蔵されており、出力OFF時にVOUT端子に接続されたコンデンサーに充電されていた電荷を急速に放電する「急速出力ディスチャージ機能」が搭載されています。この機能は、QOD 端子と VOUT 端子を直接、または外部抵抗を介して接続することで有効になります(図1参照)。QOD 端子が OPEN の場合、出力ディスチャージ時間は出力コンデンサーおよび負荷によって決まります。図 2,3 に TCKE9xxQNA のディスチャージ波形例を示します。
一方、TCKE9xxQNA以外の製品には、IC内部にディスチャージ用MOSFETが内蔵されておらず、内部回路を通して出力ディスチャージをします。そのため、積極的に出力ディスチャージをする設計ではなく、TCKE9xxQNAと比較すると放電速度は遅くなります。

TCKE9xxQNAを使用した急速出力ディスチャージ回路例
図1. TCKE9xxQNAを使用した急速出力ディスチャージ回路例

RQODEXT = OPEN
VIN = 5.0V, EN = H to L, COUT = 100μF, ROUT = 1kΩ, Ta = 25ºC

RQODEXT = OPEN VIN = 5.0 V, EN = H to L, COUT = 100 μF, ROUT = 1 kΩ, Ta = 25 ºC

RQODEXT = Short
VIN = 5.0V, EN = H to L, COUT = 100μF, ROUT = 1kΩ, Ta = 25 ºC

RQODEXT = Short VIN = 5.0 V, EN = H to L, COUT = 100 μF, ROUT = 1 kΩ, Ta = 25 ºC

図2. TCKE905QNAのディスチャージ波形

RQODEXT = OPEN
VIN = 3.3V, EN = H to L, COUT = 100μF, ROUT = 1kΩ, Ta = 25 ºC

RQODEXT = OPEN VIN = 3.3 V, EN = H to L, COUT = 100 μF, ROUT = 1 kΩ, Ta = 25 ºC

RQODEXT = Short
VIN = 3.3V, EN = H to L, COUT = 100μF, ROUT = 1kΩ, Ta = 25 ºC

RQODEXT = Short VIN = 3.3 V, EN = H to L, COUT = 100 μF, ROUT = 1 kΩ, Ta = 25 ºC

図3. TCKE903QNAのディスチャージ波形

関連リンク

以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。

FAQ

アプリケーションノート

製品 eFuse IC
製品
e-ラーニングeFuse ICs
e-ラーニング

パワーマネジメントICのFAQページへ戻る

* このFAQ内で使用している社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

別ウインドウにて開きます