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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor の略でMOS型の電界効果トランジスターを示します。3端子電極が基本でそれぞれG:ゲート、D:ドレイン、S:ソースがあります。ゲートGに電圧を印加することによりドレインD-ソースS間が導通(オン)、非導通(オフ)状態になります。バイポーラー型に比べ、比較的高速動作、低損失が特長です。チャネル極性でP型とN型があり、制御の方法でノーマリーオフ(ゲート電圧0Vでオフ)のエンハンスメント型、ノーマリーオン(ゲート電圧0Vでオン)のデプレッション型があります。エンハンスメント型が一般的です。
下記資料に構造に関する説明がございますので、参照ください。