電源の新たな扉を開く 東芝のSiC MOSFET
環境とエネルギーに関する問題は世界的な重要課題であり、省エネルギーが注目されているなか電力需要は増加していることから、高効率で小型の電力変換システムのニーズが急速に高まっています。
新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン（Si）MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しているため、電力損失の大幅低減と機器の小型化に貢献します。
第2世代SiC MOSFETのご紹介
リファレンスデザインのご紹介
産業分野では共通化や標準化が進むなか、高効率な開発設計アプローチとして、デバイス選択と回路の最適解をベースにした汎用性の高いリファレンスデザインが利用されるケースが増えています。ここでは、機器設計を迅速に進めるための参考データとしてSiC MOSFETを使用したリファレンスデザインを提供していますので、ぜひご活用ください。
３相AC400 V入力対応PFC電源
このリファレンスデザインは第2世代SiC MOSFETを使用して電源効率を改善する方法を提示しています。97 %以上の電力変換効率と、0.99以上の力率を実現しています。電気自動車（EV）の採用が進むにつれて高効率で小型の電力変換システムの需要が高まっている充電システムなどの高電力コンバーターのPFC部（ゲート駆動回路、センサー回路、出力パワースイッチ）のリファレンスデザインとしてご使用いただけます。
5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーター
このリファレンスデザインは、大電力変換用途において注目されている方式の１つであるデュアルアクティブブリッジ（DAB）方式を採用した絶縁双方向DC-DCコンバーターです。第2世代SiC MOSFETを採用することで大電力変換と高効率化の両立が可能になります。このリファレンスデザインの利用により、電気自動車（EV）の充電システムや太陽光発電用インバーターなどのシステム開発を迅速かつ簡単に進めることが可能です。