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SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)はSi材料では難しかったSBDの高耐圧化、Si FRD(Fast Recovery Diode)に代表されるpn接合ダイオードでは実現できなかった逆回復時間(電荷)の大幅削減を実現しています。
また、当社の製品ではSBDの欠点であるリーク電流とサージ電流を改良型JBS構造の採用により改善しています。下表に示すように、Siダイオードでは従来実現が難しかった電源回路に要求される各種の特性をSiCで実現しています。

電気的特性項目 シンボル
(改善方向)
実回路に対する影響 Si 材料 SiC 材料
FRD* SBD SBD

SBD
(改良型JBS)

耐圧 VR
(大)
スイッチング時の電圧サージ ★★★★ ★★★★★ ★★★★★
リーク電流 IR
(小)
熱暴走 ★★ ★★★ ★★★★★
順電圧 VF
(小)
効率 (導通損失) ★★★ ★★★★★ ★★★ ★★★
逆回復時間 trr
(小)
効率 (スイッチング損失) ★★★★★ ★★★★★ ★★★★★
サージ電流 IFSM
(大)
オン時の突入電流

★★★★★

★★ ★★★

★:数が多いほど優れていることを示す

*:Fast Recovery Diode

SiCショットキーバリアダイオード

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