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電源回路に最適なSiCデバイス
SiC ショットキーバリアダイオード（SBD）はSi材料では難しかったSBDの高耐圧化、Si FRD(Fast Recovery Diode)に代表されるpn接合ダイオードでは実現できなかった逆回復時間（電荷）の大幅削減を実現しています。
また、当社の製品ではSBDの欠点であるリーク電流とサージ電流を改良型JBS構造の採用により改善しています。下表に示すように、Siダイオードでは従来実現が難しかった電源回路に要求される各種の特性をSiCで実現しています。
| 電気的特性項目 シンボル (改善方向) |
実回路に対する影響 | Si 材料 | SiC 材料 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| FRD* | SBD | SBD | SBD |
||
| 耐圧 VR (大) |
スイッチング時の電圧サージ | ★★★★ | ★ | ★★★★★ | ★★★★★ |
| リーク電流 IR (小) |
熱暴走 | ★★ | ★ | ★★★ | ★★★★★ |
| 順電圧 VF (小) |
効率 (導通損失) | ★★★ | ★★★★★ | ★★★ | ★★★ |
| 逆回復時間 trr (小) |
効率 (スイッチング損失) | ★ | ★★★★★ | ★★★★★ | ★★★★★ |
| サージ電流 IFSM (大) |
オン時の突入電流 | ★★★★★ |
★★ | ★ | ★★★ |
★：数が多いほど優れていることを示す
*：Fast Recovery Diode
SiCショットキーバリアダイオード
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