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IEGT (PPI)

PPIはPress Pack IEGTの略で、IEGTチップを内蔵した圧接型のハイパワーデバイスです。 低損失・高破壊耐量IEGTチップと高信頼性パッケージの組み合わせにより、機器の省エネ化と小型・効率化に貢献します。

圧接型パッケージ PPI (Press Pack IEGT)
IEGTチップを同一面上に配置し、上下からチップを個別にモリブデン板で均一に圧接しています。チップのコレクターとエミッターの電極は、このモリブデン板を介して、それぞれコレクターとエミッターの銅電極に機械的圧接力で接触させ、電気的接続と放熱を行います。
PPI Structure and Cross-Sectional View Of a PPI
IEGTの基本原理
IEGTはInjection Enhanced Gate Transistor(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター)の略でIGBT*のエミッターの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子です。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイスです。

* IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)
IEGTのチップ断面構造とキャリア分布

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