TKR74F04PB

新規設計非推奨

パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V)

  • 関連リファレンスデザイン(2)

製品概要

用途 DC-DCコンバータ / 車載 / スイッチングレギュレータ / モータドライブ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅨ-H
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-220SM(W)
外観 TO-220SM(W)
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
10.0×13.0×3.5
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注:Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 40 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 250 A
許容損失 PD 375 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 0.98
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 0.74
入力容量 (Typ.) Ciss - 14200 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 227 nC

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2016年01月

アプリケーション

ブレーキ制御
ブレーキ制御の設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、ブレーキアクチュエーター部、電源部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
V2X
V2Xの設計では、電源・信号ノイズの低減や低消費電力化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、RFブロック部、電源部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
電動パワーステアリング
電動パワーステアリングの設計では、モーターロック電流に対する耐量確保や低消費電力化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、モーター駆動部、電源部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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