SiC MOSFETモジュールの特長

当社のSiC MOSFETモジュールは、大電流、高電圧が要求される鉄道車両向けコンバーター、インバーター、太陽光発電インバーター、産業向けモータードライブ等の用途に開発され、第三世代のSiC‐MOSFETチップを採用し、高信頼性、広いゲート・ソース間電圧、高ゲートしきい値電圧を実現しています。さらに、高耐熱、低インダクタンスパッケージにより、SiCの性能を十分に引き出しています。

SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在する寄生ダイオードに通電すると、SiC結晶中の欠陥が拡張するという問題がありました。結晶欠陥の拡張はMOSFETのオン抵抗を変動させ、製品の不具合にも繋がります。当社は、SiC MOSFETの内部に、寄生ダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD）を配置する構造を採用することで、この問題を解決しました。MOSFETチップにSBDを内蔵しているため、還流時の逆方向電流はSBDに流れ、寄生ダイオードへの通電を抑制します。また、寄生ダイオードを動作させないことで、信頼性に影響を与える積層欠陥の成長を抑制します。

SiC MOSFET搭載専用として開発したモジュールは、従来のIGBTモジュールに比べ小型化を実現しています。また、高チャネル温度(T_chMax=175℃）、低インダクタンス(L_spn=12nH）^(注)によりSiCの持つ高耐熱性、高速性を十分引き出します。　

製品ラインアップは定格電圧1200Vから3300Vの３品種のオールSiC MOSFET 2in1タイプがあります。用途に応じて最適なモジュールを提供可能です。