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SiC MOSFETモジュールの特長

当社のSiC MOSFETモジュールは、大電流、高電圧が要求される鉄道車両向けコンバーター、インバーター、太陽光発電インバーター、産業向けモータードライブ等の用途に開発され、第三世代のSiC‐MOSFETチップを採用し、高信頼性、広いゲート・ソース間電圧、高ゲートしきい値電圧を実現しています。さらに、高耐熱、低インダクタンスパッケージにより、SiCの性能を十分に引き出しています。

V<sub>GSS</sub>とV<sub>th</sub>規格の他社製品比較

当社のSiC MOSFETモジュールは他社と比較して広いゲート・ソース間電圧 (VGSS)規格 を有していることからドライブ設計を容易にします。 さらに高いゲートしきい値電圧 (Vth)仕様により誤動作を防ぐことができます。

MG800FXF2YMS3回路図
MG800FXF2YMS3回路図
一般的なMOSFET構造
一般的なMOSFET構造
SBD内蔵MOSFET構造
SBD内蔵MOSFET構造

SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在する寄生ダイオードに通電すると、SiC結晶中の欠陥が拡張するという問題がありました。結晶欠陥の拡張はMOSFETのオン抵抗を変動させ、製品の不具合にも繋がります。当社は、SiC MOSFETの内部に、寄生ダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を配置する構造を採用することで、この問題を解決しました。MOSFETチップにSBDを内蔵しているため、還流時の逆方向電流はSBDに流れ、寄生ダイオードへの通電を抑制します。また、寄生ダイオードを動作させないことで、信頼性に影響を与える積層欠陥の成長を抑制します。

SiC MOSFETモジュールとIGBTモジュールの比較表
特性 記号
MG800FXF2YMS3 当社IGBTモジュール
SiC MOSFETモジュール
外形 140mm×100mm 140mm×130mm
定格電流 ID/IC 800A 500A
最大チャネル/ジャンクション温度 Tch/Tj 175℃ 150℃
パッケージインダクタンス LSPN 12nH 30nH

SiC MOSFET搭載専用として開発したモジュールは、従来のIGBTモジュールに比べ小型化を実現しています。また、高チャネル温度(TchMax=175℃)、低インダクタンス(Lspn=12nH)(注)によりSiCの持つ高耐熱性、高速性を十分引き出します。 

(注)当社MG800FXF2YMS3

ラインアップ
品番 ライフサイクル 回路構成 特長 VDSS
(Max)
(V)
ID
(Max)
(A)
パッケージ
MG600Q2YMS3 新製品 2in1 オールSiC MOSFET 1200 600 標準パッケージ
152mm x 62mm
MG400V2YMS3 新製品 1700 400
MG800FXF2YMS3 新製品 3300 800 iXPLV
140mmx100mm

製品ラインアップは定格電圧1200Vから3300Vの3品種のオールSiC MOSFET 2in1タイプがあります。用途に応じて最適なモジュールを提供可能です。

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