SiC MOSFETモジュール用ゲートドライバー

産業用途向けモータードライブなどの電力変換装置に使用されるSiC MOSFETモジュールのゲートを外付けバッファMOSFETによる大電流駆動が可能。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

これは、SiC MOSFETモジュール用ゲートドライバー の画像です。
基板外観
TLP5231 TLP5231 TPC8132 TPC8132 SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS 2SC6026MFV 2SC6026MFV TLP5231 TLP5231 TPC8132 TPC8132 SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS 2SC6026MFV 2SC6026MFV

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特長

  • 大電流 / 高電圧SiC MOSFETモジュール用各種保護機能搭載絶縁ゲートドライバー
  • 当社SiC MOSFETモジュール (MG400V2YMS3, MG600Q2YMS3, MG250YD2YMS3) との組み合わせを想定した定数設定
  • 当社SiC MOSFETモジュールと同等サイズで実現

概要

制御用電源電圧 DC24V
駆動チャネル数 2 ch：ローサイド、ハイサイド
ゲート制御信号入力 5V CMOS
ゲート駆動出力 +20V (標準) / -6.7V (標準)

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
フォトカプラー(IC出力) プリドライバー・2 Photocoupler (photo-IC output), Power device pre-driver, IOP=+/-2.5 A, 5000 Vrms, SO16L
パワーMOSFET (P-ch 1素子) ターンオン用バッファ・2 P-ch MOSFET, -40 V, 0.025 Ω@10V, SOP-8, U-MOSⅥ
小型・低オン抵抗MOSFET ターンオフ用バッファ・4 N-ch, MOSFET, 40V, 12A, 18mΩ@4.5V, TSOP6F
低ドロップアウト(LDO)リニアーボルテージレギュレーター 制御電源電圧生成・4 High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator
小信号MOSFET 入力信号駆動・２ N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, SOT-416(SSM)
低周波増幅用トランジスター 異常検出信号出力・2 NPN Bipolar Transistor, 50 V, 0.15 A, SOT-723(VESM)

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

メガソーラーインバーター
メガソーラーインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、インバーター回路部、ゲート駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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汎用インバーター/サーボ
インバーター/サーボの設計では、低消費電力化、小型化や堅牢な動作などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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