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MOSFET製品リスト

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400V-900V MOSFET

ハイライト

  • プロセス技術

    最新シングルエピタキシャルプロセスDTMOSⅣ、DTMOSⅤの採用により従来製品 (DTMOSⅢ) に比較して性能指数Ron・Aで30%低減と大幅に性能向上を実現しています。

  • 特長

    1. 性能指標Ron・Aは従来製品 (DTMOSⅢ) 比で30%削減

    これは、従来製品(DTMOSⅢ)とDTMOSⅣの性能比較図です。

    2. シングルエピプロセスにより高温時のオン抵抗上昇が小さい

    これは、高温時のオン抵抗上昇の他社製品との比較図です。

    3. Cossの低減によりEoss (スイッチング損失) は従来製品 (DTMOSⅢ) に比較して12%削減
    • DTMOS Ⅳ: Eoss特性

    これは、DTMOS IVのEoss特性の図です。

    • 同等Ron製品による効率比較

    これは、DTMOS IVのEoss特性の図です。

    4. 幅広いオン抵抗(R DS(ON) max)ラインアップ: 0.9Ω-0.018Ω
    5. 多様なパッケージラインアップ:
    • 自立型: TO-220、TO-220SIS、IPAK、I2PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247
    • 自立型: TO-220、TO-220SIS、IPAK、I2PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247

  • 開発ロードマップ

    これは、DTMOSシリーズと他社製品との開発ロードマップ比較図です。

  • パッケージ技術

    TO-247-4Lは、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続とする4ピンタイプで、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスの影響を低減させることが可能となり、MOSFETチップの高速スイッチング性能をより引き出します。続きはこちら

ラインアップ

N-ch Super Junction

ドキュメント

ホワイトペーパー

Whitepaper
資料名 概要 発行年月
Evolution of Devices Supporting Power
Electronics and Expansion of Technologies for
Mounting, Circuits, and Application to Products
2017年8月

フォーム登録

Optimising power deisng through MOSFET efficiency and intergration 2017年8月

フォーム登録

  • e-tool
Cordless Power Tools: Delivering High Output Power, Extended Operation and Smaller Form Factors 2017年8月

coming soon

  • TO-247-4L
新パッケージの特長、シミュレーションによる動作解析 2017年9月

coming soon

アプリケーションノート

Application note
資料名 概要 発行年月
パワーMOSFETのプレーナー型、トレンチ型およびスーパージャンクション型について説明します。 2017年2月
パワーMOSFET の絶対最大定格項目および熱抵抗、安全動作領域について説明します。 2016年11月
データシート記載の各電気的特性について説明します。 2016年11月
パワーMOSFETの選び方、温度特性、配線の影響や寄生発振、アバランシェ耐量、スナバ回路等を説明します。 2016年11月
放熱等価回路・チャネル温度の計算例、放熱器を取り付ける場合の注意事項を説明します。 2016年11月
MOSFETをスイッチング用途として使用する場合の発振現象のメカニズムについて説明します。 2017年8月
MOSFET並列接続時の電流アンバランスと寄生発振のメカニズムについて説明します。 2017年8月
MOSFETをスイッチング用途で使用する際のゲート駆動回路設計の考え方、駆動回路例について説明します。 2017年8月

カタログ

Catalog
資料名 概要 発行年月
パワーMOSFET、小信号MOSFETのパッケージ別製品ラインアップを紹介します。 2016年3月

動画

動画リスト
以下のサムネイルをクリックすると、動画が閲覧できます。

「高調波について」
スイッチング電源で発生する高調波について

投稿日: 2017年9月1日

時間: 03:41

「PFC(力率改善回路)」
力率改善回路(PFC)の必要性と役割について

投稿日: 2017年9月1日

時間: 06:27

製品一覧

1) DTMOSⅣ(V DSS = 600 V) 製品ラインアップ

2) DTMOSⅣ(V DSS = 600 V) 高速スイッチング品 製品ラインアップ

RDS(ON)
max (Ω)
DFN8x8 TO-220 TO-220SIS TO-247 TO-247
4pin
0.125 - 0.135 TK25V60X TK25E60X TK25A60X TK25N60X TK25Z60X
0.088 - 0.098 TK31V60X TK31E60X TK31N60X TK31Z60X
0.065 TK39N60X TK39Z60X
0.040 TK62N60X TK62Z60X

3) DTMOSⅣ(V DSS = 600 V) 高速ダイオード内蔵品 製品ラインアップ

RDS(ON)
max (Ω)
DPAK D2PAK DFN8x8 TO-220 TO-220SIS TO-3P(N) TO-247
(0.99) TK5P60W5 TK5A60W5
0.65 - 0.67 TK7P60W5 TK7A60W5
0.54 - 0.56 TK8P60W5 TK8A60W5
0.45 TK10A60W5
0.23 - 0.24 TK16G60W5 TK16V60W5 TK16E60W5 TK16A60W5 TK16J60W5 TK16N60W5
0.175 - 0.185 TK20V60W5 TK20E60W5 TK20A60W5 TK20J60W5 TK20N60W5
0.14 - 0.15 TK25V60X5 TK25E60X5 TK25A60X5 TK25N60X5
0.099 - 0.109 TK31V60W5 TK31J60W5 TK31N60W5
0.074 TK39J60W5 TK39N60W5
0.045 TK62J60W5 TK62N60W5

4) DTMOSⅣ(VDSS = 650 V) 製品ラインアップ

RDS(ON)
max (Ω)
DPAK IPAK I2PAK D2PAK DFN8×8 TO-220 TO-220SIS TO-247
1.2 - 1.22 TK5P65W TK5Q65W TK5A65W
1.0 - 1.05 TK6P65W TK6Q65W TK6A65W
0.78 - 0.80
TK7P65W TK7Q65W TK7A65W
0.65 - 0.67 TK8P65W TK8Q65W TK8A65W
0.5 - 0.56 TK9P65W TK9Q65W TK9A65W
 0.39 - 0.44   TK11P65W TK11Q65W TK11A65W
0.25 TK14C65W TK14G65W TK14V65W TK14E65W TK14A65W TK14N65W
0.2 TK17C65W TK17V65W TK17E65W TK17A65W TK17N65W
0.11 TK28V65W TK28E65W TK28A65W TK28N65W
0.08 TK35A65W TK35N65W
0.055 TK49N65W

5) DTMOSⅣ(VDSS = 650 V) 高速ダイオード内蔵品 製品ラインアップ

RDS(ON)
max (Ω)
  I2PAK      D2PAK TO-220 TO-220SIS TO-247
0.3 TK14C65W5 TK14G65W5 TK14E65W5 TK14A65W5 TK14N65W5
0.23 TK17A65W5
0.13 TK28N65W5
0.095 TK35A65W5 TK35N65W5
  0.057    TK49N65W5

6) DTMOSV(VDSS = 600 V) 製品ラインアップ

RDS(ON)
max (Ω)
DPAK TO-220SIS
0.56 TK560P60Y TK560A60Y
0.38 TK380P60Y TK380A60Y
0.29 TK290P60Y TK290A60Y

7) DTMOSV(VDSS = 650 V) 製品ラインアップ

RDS(ON)
max (Ω)
DPAK TO-220SIS
0.56 TK560P65Y TK560A65Y
0.38 TK380P65Y TK380A65Y
0.29 TK290P65Y TK290A65Y

8)DTMOSⅣ(VDSS = 800 V) 製品ラインアップ

RDS(ON)
max (Ω)
TO-220 TO-220SIS
0.95 TK7E80W TK7A80W
0.55 TK10E80W TK10A80W
0.45 TK12E80W TK12A80W
0.29 TK17E80W TK17A80W
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