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MOSFET製品リスト

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400V-900V MOSFET

スイッチング電源やインバータモータアプリケーションなどに使用されるデバイスです。当社では高出力電源向けに適したスーパージャンクション(SJ)構造のMOSFETシリーズと低出力電源向けに適したD-MOS(二重拡散構造)のMOSFETシリーズがあります。

ラインアップ

N-ch Super Junction
N-ch D-MOS

ハイライト

DTMOSシリーズ

クイックチャージャや大型産業電源などの高出力電源向けに適したスーパージャンクション(SJ)構造のMOSFETシリーズです。SJ構造により同一パッケージでπ-MOSシリーズに比べ低いオン抵抗、同一オン抵抗品を小さいパッケージで実現できるため、電源の小型化・高効率化に適した製品シリーズとなります。

π-MOSシリーズ

おもに65W以下ノートブックPCアダプタやゲーム機アダプタなどの低出力電源向けに適したD-MOS(二重拡散構造)のMOSFETシリーズです。スイッチングスピードがそれほど速くないため、EMIノイズが小さく使いやすい製品シリーズとなります。

Power Supply for Consumer Appliances

  • パッケージ技術

    TO-247-4Lは、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続とする4ピンタイプで、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスの影響を低減させることが可能となり、MOSFETチップの高速スイッチング性能をより引き出します。続きはこちら

ドキュメント

ホワイトペーパー

Whitepaper
資料名 概要 発行年月
パワーエレクトロニクスを支えるデバイスの進化と実装・回路・製品適用技術の発展 2017年8月
MOSFETの効率性やインテグレーションを通した電源設計の最適化(※英文資料) 2017年8月

フォーム登録

コードレス電動工具: 高出力、バッテリ駆動時間の延長、小型化を実現 2017年8月
新パッケージの特長、シミュレーションによる動作解析 2017年9月

アプリケーションノート

Application note
資料名 概要 発行年月
ディスクリート半導体のシミュレーションによるチップ温度低減施策について説明します。 2018年1月
MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります。 この現象の発生要因とその対策について説明します。 2017年12月
アバランシェ現象のメカニズム、その定義、およびそれに対する対策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体のチップ温度低減施策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体の温度の算出方法について説明します。 2017年12月
MOSFET の安全動作領域の温度ディレーティング方法について説明します。 2017年12月
MOSFETのドレイン - ソース間に急激に上昇する電圧が印加されると、MOSFETが誤動作してオンする場合があり、そのメカニズムとその対策について説明します。 2017年12月
MOSFETをスイッチング用途として使用する場合の発振現象のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFET並列接続時の電流アンバランスと寄生発振のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFETをスイッチング用途で使用する際のゲート駆動回路設計の考え方、駆動回路例について説明します。 2017年11月
パワーMOSFETのプレーナー型、トレンチ型およびスーパージャンクション型について説明します。 2017年2月
パワーMOSFET の絶対最大定格項目および熱抵抗、安全動作領域について説明します。 2016年11月
データシート記載の各電気的特性について説明します。 2016年11月
パワーMOSFETの選び方、温度特性、配線の影響や寄生発振、アバランシェ耐量、スナバ回路等を説明します。 2016年11月
放熱等価回路・チャネル温度の計算例、放熱器を取り付ける場合の注意事項を説明します。 2016年11月

カタログ

Catalog
資料名 概要 発行年月
パワーMOSFET、小信号MOSFETのパッケージ別製品ラインアップを紹介します。 2016年3月

動画


製品一覧表

MOSFET製品一覧表
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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。