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逆導通IGBT(RC-IGBT)は、IGBTとフリーホイールダイオードFWDを1チップで構成した製品です。

IGBTが使用される多くの応用において、そのエミッターからコレクター側へ環流電流が流れるモードがあります。この環流動作のためにIGBTと逆並列に図(a)のようにフリーホイールダイオードFWDがIGBTとは別チップで接続されています。

逆導通IGBT(RC-IGBT:Reverse Conducting IGBT)は、このFWDをIGBTチップの中に組み込んだもので、図(b)に内部構造例を示します。コレクター電極のP層の一部をN化しエミッター電極のP層とP ー N-ー NのPINダイオード(*1)を形成、図(a)のFWDと同じようにIGBTと逆並列にダイオードが接続され、環流動作を行います。このRC-IGBTは、電圧共振用を始め最近ではハードスイッチング分野にも製品が拡大してきています。

(*1) PINダイオード:P層とN層の間に高抵抗のI層(Intrinsic層:真性半導体に近く不純物濃度が低く高抵抗であるという意味)を挟んだダイオードのこと。高耐圧が要求されるIGBTのFWDは、この構造が採用されています。

(a) IGBT+FWD
(a) IGBT+FWD
(b) RC-IGBTの内部構造例
(b) RC-IGBTの内部構造例
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