逆導通IGBT（RC-IGBT)とは何ですか?

逆導通IGBT（RC-IGBT）は、IGBTとフリーホイールダイオードFWDを1チップで構成した製品です。

IGBTが使用される多くの応用において、そのエミッターからコレクター側へ環流電流が流れるモードがあります。この環流動作のためにIGBTと逆並列に図(a）のようにフリーホイールダイオードFWDがIGBTとは別チップで接続されています。

逆導通IGBT（RC-IGBT：Reverse Conducting IGBT）は、このFWDをIGBTチップの中に組み込んだもので、図(b)に内部構造例を示します。コレクター電極のP層の一部をN化しエミッター電極のP層とP ー N^-ー NのPINダイオード^(*1)を形成、図(a)のFWDと同じようにIGBTと逆並列にダイオードが接続され、環流動作を行います。このRC-IGBTは、電圧共振用を始め最近ではハードスイッチング分野にも製品が拡大してきています。

^(*1) PINダイオード：P層とN層の間に高抵抗のI層（Intrinsic層：真性半導体に近く不純物濃度が低く高抵抗であるという意味）を挟んだダイオードのこと。高耐圧が要求されるIGBTのFWDは、この構造が採用されています。