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SiCショットキバリアダイオード

SiCショットキバリアダイオード

SiC ショットキバリアダイオード(SBD)は高い逆電圧を特長とします。SBDの特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキ)構造を採用し、スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した650VのSBDを提供しています。このデバイスによりスイッチング電源の高効率を実現します。

ラインアップ

耐圧

パッケージ

ハイライト

Si FRD(Fast Recovery Diode)/SBDとSiC SBDの特性を表にすると以下のようになります。Siダイオードでは実現が難しかった電源回路に要求される各種の特性をSiCで実現しています。

Si FRD(Fast Recovery Diode)/SBDとSiC SBDの特性
電気的特性項目 シンボル
(改善方向)
実回路に対する影響 Si 材料 SiC 材料
FRD* SBD SBD SBD
(改良型JBS)

耐圧 VR

(大)

スイッチング時の電圧サージ

★★★★

★★★★★

★★★★★

リーク電流 IR

(小)

熱暴走

★★

★★★

★★★★★

順電圧 VF

(小)

効率 (導通損失)

★★★

★★★★★

★★★

★★★

逆回復時間 trr

(小)

効率 (スイッチング損失)

★★★★★

★★★★★

★★★★★

サージ電流 IFSM

(大)

オン時の突入電流

★★★★★

★★

★★★

★:数が多いほど優れていることを示す

*:Fast Recovery Diode

低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造

SiCの低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造

低スイッチング損失を実現するSiC SBD

低スイッチング損失を実現するSiC SBD

SiC SBDの高い耐圧特性

SiC SBDの高い耐圧特性

用途

当社のSiCショットキバリアダイオード(SBD)は、SiCの物理特性を生かし、改良型JBS構造を採用することにより従来のSBDでは成し遂げられなかった高耐圧で低リーク電流、高サージ電流の性能を持つ、逆回復電荷の少ない素子を実現しています。これによりサーバー機器・通信基地局・PCなどの高効率電源のPFC、太陽光発電やモータ駆動などのインバータ回路のフリーホイールダイオード部に使用でき大幅な損失改善や高周波数化を図れます。
 

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。