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SiCショットキバリアダイオード

SiCショットキバリアダイオード

第2世代650 V耐圧のシリコンカーバイドショットキバリアダイオード (SiC SBD) を定格電流2A~10A、パッケージはスルーホールパッケージ(TO-220)を提供しています。

効率性能指数(VF・QC)*1を30%、サージ電流(IFSM)を改善し、電源の高効率化、小型化に貢献いたします。

ラインアップ

耐圧

パッケージ

ハイライト

  • サージ電流耐量(IFSM)が高い: 電流定格IF(DC)の約7~9倍
  • 効率性能指数(VF・QC)*1が小さい: 第一世代品から約30%削減を達成し、高効率化を実現
  • 絶縁タイプ、表面実装タイプを含む豊富なパッケージラインアップ: 多様な設計要求に対応可能

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用途

高効率電源の力率改善回路(PFC)やチョッパー回路やスイッチング素子のフリーホイールダイオード部

  • 民生・OA用途機器: 4K液晶TV、プロジェクタ、複合複写機など
  • 産業用途機器: 通信基地局、PCサーバなど
  • AC-DC電源
  • DC-DC電源

ドキュメント

アプリケーションノート

*1  VF・QC  : (順電圧と総電荷量の積) は、SiC SBDの損失性能を表す指数で、同一電流定格製品で比較した場合小さいほど低損失化が実現できます。

ご検討の方に

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。