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MOSFET製品リスト

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12V-300V MOSFET

性能指標の継続的な改善の例
性能指標の継続的な改善の例
(ドレインソース間オン抵抗vsゲートスイッチ電荷量)

MOSFETは、低耐圧品から中耐圧品までの幅広い耐圧ラインアップと、小信号系の超小型パッケージから車載大電流対応パッケージまでの様々なパッケージラインアップを有しています。低耐圧パワーMOSFETでは、トレンチ構造を採用し、優れた微細化技術を用いてセルの高集積化を進めることで、ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)を改善してきました。またMOSFETのセル構造を最適化することで、スイッチング用途で重要な性能指標であるドレイン・ソース間オン抵抗と各電荷量のトレードオフを改善しています。
応用機器の効率改善やMOSFETの発熱低減に向けて様々な性能指標(右図参照)を継続的に改善してきましたが、トレンチMOS第8世代(U-MOSⅧ-Hシリーズ)では、これらの改善に加え、新セル構造を導入することで、下図に示すように、スイッチング時のノイズやリンギングを低減しています。

<スイッチングOff時のドレイン・ソース間電圧波形の比較>

寄生スナバ回路lvmos_3

更に、スイッチング損失の低減が進んだために相対的に重要性が増した出力チャージ損失を大幅に低減するために、最新プロセスを適用したトレンチMOS第9世代(U-MOSⅨ-Hシリーズ)を製品化しました。
低耐圧パワーMOSFETは各種応用機器の省エネや小型化に適しており、機器を設計するうえでの様々な選択肢を提供します。

ハイライト

  • 最新世代U-MOSⅨ-Hシリーズ

    U-MOSⅨ-Hシリーズは、優れたトレンチプロセス技術とパッケージ技術の融合により業界トップレベルの性能を提供します。

1)VDSS ≧ 75V

最先端の微細化技術を用い、セル構造を最適化することで、MOSFETの重要な性能指標であるオン抵抗と電荷量のトレードオフを大幅に改善しました。それにより、MOSFETの主要損失(導通損失、ドライブ損失、スイッチング損失、出力チャージ損失)を減らしており、機器の高効率化やMOSFETデバイスの温度低減をサポートしています。

◆ VDSS=100Vシリーズ(代表)の性能指標比較

導通損失とドライブ損失

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導通損失とスイッチング損失

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導通損失と出力チャージ損失

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TPH3R70APL:U-MOSⅨ-H、VDSS=100V、RDS(ON)max= 3.7mΩ at VGS=10V、SOP Advance

RDS(ON):オン抵抗(導通損失に関する指標)                                              (2018年1月当社調べ)
Qg:ゲート電荷量(ドライブ損失に関する指標)
Qsw:ゲートスイッチ電荷量(スイッチング損失に関する指標)
Qoss:出力電荷量(出力チャージ損失に関する指標)

◆ VDSS=100Vシリーズの応用例と応用機器での性能比較
U-MOSⅨ-H 100Vシリーズは優れた高速性能を活かし、通信用DC-DCコンバータサーバ電源アダプターモータマイクロインバータ、チャージャーなどの様々な用途で使用されています。代表例として、フルブリッジ型DC-DCコンバータの1次側回路で使用した場合のMOSFETデバイス温度と効率の比較を示します。フルブリッジ型DC-DCコンバータでは、MOSFETデバイス温度を低減し、高い電源効率を実現しています。

<フルブリッジ型DC-DCコンバータでの効率とMOSFETデバイス温度の比較>

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<動作条件>
 入力電圧=48V、出力電圧=24V、出力電力=25~185W

   動作周波数=150kHz、MOSFETゲート駆動電圧=6V

 <評価デバイス>
 TPH3R70APL:RDS(ON)max= 3.7mΩ at VGS=10V、
                         SOP Advance

 Circle 比較評価したデバイス

効率比較

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デバイス温度比較

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*デバイス温度はモールド表面中心部にて測定

2)VDSS ≦60V

低スイッチング損失および低ドライブ損失を実現したU-MOS第8世代から、更なる微細化とセル構造の最適化を行い、電源やモータドライブで重要な出力チャージ損失やスイッチング損失を大幅に低減しています。

◆ VDSS=60Vシリーズ(代表)の性能指標比較

導通損失とドライブ損失

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導通損失とスイッチング損失

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導通損失と出力チャージ損失

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TPH1R306PL:U-MOSⅨ-H、VDSS=60V、RDS(ON)max= 1.34mΩ at VGS=10V、SOP Advance

RDS(ON):オン抵抗(導通損失に関する指標)                                     (2018年1月当社調べ)
Qg:ゲート電荷量(ドライブ損失に関する指標)
Qsw:ゲートスイッチ電荷量(スイッチング損失に関する指標)
Qoss:出力電荷量(出力チャージ損失に関する指標)

◆ VDSS=60Vシリーズの応用例と応用機器での性能比較

U-MOSⅨ-H 60Vシリーズも100Vと同様に、通信機器・基地局用AC-DC電源の2次側、通信用DC-DCコンバータサーバ電源モータマイクロインバータなどに使用されています。同様に、フルブリッジ型DC-DCコンバータにおいて、MOSFETデバイス温度を低減し、高い電源効率を実現しています。

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<動作条件>
 入力電圧=48V、出力電圧=24V、出力電流=5~25A
 動作周波数=160kHz、MOSFETゲート駆動電圧=6V

 <評価デバイス>
 TPH1R306PL:RDS(ON)max= 1.34mΩ at VGS=10V、
                       SOP Advance

 Circle 比較評価したデバイス

効率比較

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デバイス温度比較

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*デバイス温度はモールド表面中心部にて測定

3)チャネル温度および保存温度 175℃保証を対応

U-MOSⅨ-Hシリーズでは、VDSS=30Vの製品も含めて、チャネル温度 175℃および保存温度 -55~175℃保証を対応しています。

  • U-MOSⅧ-Hシリーズ

    低オン抵抗と高速スイッチング性能を両立した高性能シリーズになります。高速動作によるスイッチング損失を低減し、電源の高効率化に貢献 します。またU-MOSⅧ‐H世代も、U-MOSⅨ‐H世代と同様に、寄生のCR回路によるスナバ効果によってスイッチングノイズを低減しています。更に30V-250Vの広範囲な耐圧ラインアップを有し、最新の両面放熱パッケージを始めとした豊富なパッケージラインアップ(下表参照)も揃えています。

U-MOSⅧ‐H世代とU-MOSⅨ‐H世代のカバレージ比較

U-MOSⅧ‐H世代とU-MOSⅨ‐H世代のカバレージ比較

  • 低電圧駆動かつ低RONを実現

    業界トップレベルのプロセスにより低電圧領域においても低RON特性を実現。

    システム電源の低下トレンドに追従し、低消費電力化に貢献します。

lvmos1

  • 12V - 300V MOSFET パッケージトレンド

    12V - 300V MOSFET パッケージトレンド

    さまざまな用途に応じた最適なパッケージを提供します。

    超小型0.8x0.6mmサイズのパッケージから高放熱パッケージまで豊富なラインアップを取り揃えております。

  • 高放熱 DSOP Advanceパッケージ

    1. パッケージ両面に金属板を配置しており、上下面から効率的に放熱します。

        ⇒ 同じサイズで大電流通電が可能となり、基板の省スペース化や機器の小型化に貢献します。

    2. SOP Advanceパッケージ製品と裏面寸法(パッド寸法)が互換になっています。

        ⇒ 既存のプリント基板のレイアウトでそのまま置き換えが可能です。

    3. パッケージ自身の抵抗値を低減しています。

    パッケージ外観両面放熱パッケージ

  • 大電流対応パッケージ

    • Cuコネクタ採用により低オン抵抗特性と大電流対応実現
    • 既存パッケージとフットプリントの共有が可能

    大電流対応パッケージ

    大電流パッケージ 既存パッケージ
    TO-220SM(W) TO-220SM(D2PAK)
    DPAK+ New PW-Mold
    SOP Advance SOP-8

    TO-220SM(W)、DPAK+、SOP Advance

ラインアップ

ドキュメント

ホワイトペーパー

Whitepaper
資料名 概要 発行年月
パワーエレクトロニクスを支えるデバイスの進化と実装・回路・製品適用技術の発展 2017年8月
MOSFETの効率性やインテグレーションを通した電源設計の最適化(※英文資料) 2017年8月

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コードレス電動工具: 高出力、バッテリ駆動時間の延長、小型化を実現 2017年8月
放熱性に優れた両面放熱パッケージDSOP Advance(※英文資料) 2017年8月

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アプリケーションノート

Application note
資料名 概要 発行年月
ディスクリート半導体のシミュレーションによるチップ温度低減施策について説明します。 2018年1月
MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります。 この現象の発生要因とその対策について説明します。 2017年12月
アバランシェ現象のメカニズム、その定義、およびそれに対する対策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体のチップ温度低減施策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体の温度の算出方法について説明します。 2017年12月
MOSFET の安全動作領域の温度ディレーティング方法について説明します。 2017年12月
MOSFETのドレイン - ソース間に急激に上昇する電圧が印加されると、MOSFETが誤動作してオンする場合があり、そのメカニズムとその対策について説明します。 2017年12月
MOSFETをスイッチング用途として使用する場合の発振現象のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFET並列接続時の電流アンバランスと寄生発振のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFETをスイッチング用途で使用する際のゲート駆動回路設計の考え方、駆動回路例について説明します。 2017年11月
パワーMOSFETのプレーナー型、トレンチ型およびスーパージャンクション型について説明します。 2017年2月
パワーMOSFET の絶対最大定格項目および熱抵抗、安全動作領域について説明します。 2016年11月
データシート記載の各電気的特性について説明します。 2016年11月
パワーMOSFETの選び方、温度特性、配線の影響や寄生発振、アバランシェ耐量、スナバ回路等を説明します。 2016年11月
放熱等価回路・チャネル温度の計算例、放熱器を取り付ける場合の注意事項を説明します。 2016年11月

カタログ

Catalog
資料名 概要 発行年月
パワーMOSFET、小信号MOSFETのパッケージ別製品ラインアップを紹介します。 2016年3月

動画


製品一覧

VDSS
(V)
RDS(ON)
(mΩ)
TSON Advance SOP Advance SOP-8 DSOP Advance TO-220 TO-220SIS DPAK D2PAK
30 10 - 20 TPN11003NL TPH11003NL

5 - 10 TPN8R903NL
TPN6R303NC
TPN6R003NL
TPN5R203PL
TPH8R903NL
TPH6R003NL
TP89R103NL
TP86R203NL
3 - 5 TPN4R303NL
TPN4R203NC
TPH4R803PL
TPH4R003NL
TPH3R203NL
TK3R3E03GL
1 - 3 TPN2R903PL
TPN2R703NL
TPN2R503NC
TPN2R203NC
TPN1R603PL
TPH3R003PL
TPH2R903PL
TPH2R003PL

TPH1R403NL
< 1 TPHR9203PL
TPHR9003NL
TPHR9003NC
TPHR6503PL
TPWR8503NL
TPWR6003PL
40 10 - 20
5 - 10 TPN7R504PL TPH7R204PL
TPH6R004PL
3 - 5 TPN3R704PL TPH3R704PC
TPH3R704PL
TK3R1E04PL TK3R1A04PL TK3R1P04PL
1 - 3 TPN2R304PL TPH2R104PL
TPH1R204PB
TPH1R204PL
< 1 TPHR8504PL TPWR8004PL
45 1 - 3 TPN2R805PL TPH2R805PL
TPH1R405PL
TPH1R005PL
< 1 TPW1R005PL
60 20 - 50 TPN22006NH
10 - 20 TPN14006NH
TPN11006NL
TPN11006PL
TPH14006NH
TPH11006NL
TK30E06N1
TK40E06N1
TK30A06N1
TK40A06N1
5 - 10 TPN7R506NH
TPN7R006PL
TPH9R506PL
TPH7R506NH
TPH7R006PL
TPH5R906NH
TK8R2E06PL
TK58E06N1
TK5R1E06PL
TK8R2A06PL
TK58A06N1
TK5R3A06PL
TK6R7P06PL
3 - 5 TPN4R806PL TPH4R606NH
TPH3R506PL
TK4R3E06PL
TK3R2E06PL
TK4R3A06PL
TK3R3A06PL
TK4R4P06PL TK4R8G06PL
1 - 3 TPH2R306NH
TPH2R506PL
TPH1R306PL
TPH1R306P1
TPW1R306PL TK100E06N1 TK100A06N1 TK2R9G06PL
75 1 - 3 TPH2R608NH TPW2R508NH
80 30 - 50 TPN30008NH
10 - 20 TPN13008NH TPH12008NH TK35E08N1 TK35A08N1
5 - 10 TPH8R008NH TK46E08N1 TK46A08N1
3 - 5 TPH4R008NH TPW4R008NH TK72E08N1
TK100E08N1
TK72A08N1
TK100A08N1
100 30 - 50 TPN3300ANH
10 - 20 TPN1600ANH
TPN1200APL
TPH1400ANH TK22E10N1
TK110E10PL
TK22A10N1
TK110A10PL
TK110P10PL
5 - 10 TPH8R80ANH
TPH6R30ANL
TPH5R60APL
TK34E10N1
TK40E10N1
TK7R2E10PL
TK6R4E10PL
TK34A10N1
TK40A10N1
TK7R4A10PL
TK6R7A10PL
TK7R7P10PL
3 - 5 TPH4R50ANH
TPH4R10ANL
TPH3R70APL
TPW4R50ANH
TPW3R70APL
TK65E10N1
TK3R9E10PL
TK100E10N1
TK65A10N1
TK4R1A10PL
TK100A10N1
TK3R2A10PL
TK65G10N1
TK3R7G10PL
1 - 3 TK2R9E10PL
120 10 - 20 TK32E12N1 TK32A12N1
5 - 10 TK42E12N1
TK56E12N1
TK42A12N1
TK56A12N1
3 - 5 TK72E12N1 TK72A12N1
150 50 - 100 TPN5900CNH TPH5900CNH
20 - 50 TPH3300CNH
10 - 20 TPH1500CNH TPW1500CNH
200 100 - 200 TPN1110ENH TPH1110ENH
50 - 100 TPH6400ENH
20 - 50 TPH2900ENH TPW2900ENH
250 200 - 300 TPN2010FNH TPH2010FNH
100 - 200 TPH1110FNH
50 - 100 TPH5200FNH TPW5200FNH
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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。