2-10. ショットキーバリアダイオード(SBD)

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ショットキーバリアダイオード(Schottky Barrier Diode)は、pn接合の代わりに半導体とモリブデンなどの金属を接合した構造の素子で、一般的にn型半導体と金属を接合したSBDが製品化されています。順方向電圧が小さく逆回復時間(注)が短いことから高速スイッチング動作に適しています。

SBDの順電圧(VF)と逆電流には、逆相関関係(これをトレードオフという)があります。
使用される金属により変わってきますが、一般的に耐圧は20～150V程度、VFは0.4～0.7V程度とpn接合ダイオードより低耐圧・低VFの特性となっています。

現在は、低い順電圧を維持しながら逆電流を抑えた新構造のSBDも製品化されています。
（n型半導体層の金属界面側をトレンチ構造とすることにより低ＶＦと低漏れ電流特性を達成している。）

注：SBDはユニポーラー素子のためpn接合ダイオードのようなキャリアの再結合による逆回復時間はありません。しかしながら、SBDの端子間容量を充電する電流波形がpn接合ダイオードの逆回復時間のように観測されることから、ここでは逆回復時間と記載しています。

ショットキーバリアダイオードの構造と記号
図2-9(a) ショットキーバリアダイオードの構造と記号
ショットキーバリアダイオードの電気的特性
図2-9(b) ショットキーバリアダイオードの電気的特性

第2章　ダイオード

2-1. ダイオードの種類
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2-2. 整流ダイオードの働き
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2-3. 整流ダイオードの順方向特性
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2-4. FRD
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2-5. 定電圧ダイオード
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2-6. ESD保護用ダイオード
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2-7. ESD保護用ダイオードと定電圧ダイオードの違い(1)
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2-8. ESD保護用ダイオードと定電圧ダイオードの違い(2)
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2-9. 可変容量ダイオード
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2-11. SBDの逆回復特性
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2-12. SBDの金属による差
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2-13. 各種ダイオードの特性と応用
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関連情報

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