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ショットキーバリアダイオード(SBD)

ショットキーバリアダイオード(Schottky Barrier Diode)は、pn接合の代わりに半導体とモリブデンなどの金属を接合した構造の素子で、一般的にn型半導体と金属の接合が製品化されています。順方向電圧が小さく逆回復時間が短いことから高速スイッチング動作に適しています。
SBDの順電圧降下(VF)と逆方向漏れ電流には、逆相関関係(これをトレードオフという)があります。使用される金属により変わってきますが、一般的に耐圧は20~150V程度、定格のVFは0.4~0.7V程度とpn接合ダイオードより低耐圧・低VFの特性となっています。

現在は、低順電圧を維持しながら漏れ電流を抑えた新構造のSBDも製品化されています。
(n型半導体層の金属界面側をトレンチ構造とすることにより低VFと低漏れ電流特性を達成している。)

 

ショットキーバリアダイオードの構造と記号
図2-9(a) ショットキーバリアダイオードの構造と記号
ショットキーバリアダイオードの電気的特性
図2-9(b) ショットキーバリアダイオードの電気的特性

第2章 ダイオード

ダイオードの種類
整流ダイオードの働き
整流ダイオードの順方向特性
FRD
定電圧ダイオード
ESD保護用ダイオード
ESD保護用ダイオードと定電圧ダイオードの違い(1)
ESD保護用ダイオードと定電圧ダイオードの違い(2)
可変容量ダイオード
SBDの逆回復特性
SBDの金属による差
各種ダイオードの特性と応用

関連情報

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