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「第2章 ダイオード」のPDFダウンロード (PDF:1.1MB)
SBDの場合、金属はpn接合ダイオードのアノードとして働きます。また、半導体はn層だけですので動作の担い手は、電子(エレクトロン)のみとなりMOSFETと同様にユニポーラー素子となります。
金属材料によりシリコンのエネルギー準位と金属との差(エネルギーギャップ)が異なります。
この差をΦBと表し、大きい金属の代表格は Pt(白金)、低い金属は V(バナジウム)や Ti(チタン)があります。ΦBが大きい金属を使用すると低漏れ電流ですが、順電圧VFは大きくなります。ΦBの小さいVやTiではその逆の特性となります。