2-12. SBDの金属による差

SBDの場合、金属はpn接合ダイオードのアノードとして働きます。また、半導体はn層だけですので動作の担い手は、電子(エレクトロン)のみとなりMOSFETと同様にユニポーラー素子となります。
金属材料によりシリコンのエネルギー準位と金属との差(エネルギーギャップ)が異なります。
この差をΦ_Bと表し、大きい金属の代表格は Pt(白金)、低い金属は V(バナジウム)や Ti(チタン)があります。Φ_Bが大きい金属を使用すると低漏れ電流ですが、順電圧V_Fは大きくなります。Φ_Bの小さいVやTiではその逆の特性となります。