: 製品一覧（パラメトリックサーチ）
カーボンニュートラルな未来をつくるパワー半導体とは？
当社は高性能なパワー半導体を最新技術で実現することであらゆる電気機器の省エネルギー化を加速しカーボンニュートラルな未来の実現に貢献していきます。
パワー半導体とは？
パワー半導体とは、電気の流れをコントロールしてムダを抑える半導体デバイスです。パソコンなどの電子機器では動作する際に常に電気のロスが発生していますが、高性能なパワー半導体を使用することで電気のムダを低く抑えることができます。高性能なパワー半導体は、例えばパソコンだけでなく、スマートフォンや自動車、電車や変電所など、電気を使うあらゆるものの省エネを効率的に実現します。当社の高性能なパワー半導体はカーボンニュートラルな未来の実現に向けて世界中で貢献しています。
東芝デバイス&ストレージのパワー半導体
当社では、世界中のあらゆる機器の電気のロスを小さくしムダをおさえるために様々な種類のパワー半導体をお客様にお届けしています。
脱炭素社会実現へ向け省エネルギーが注目されている一方で電力需要は増加していることから、電力損失が少なく小型の電力変換システムのニーズが急速に高まっており、Siパワーデバイスの性能向上のみならず化合物パワーデバイスの導入が進められています。当社はSiパワーデバイスの製品ラインアップ拡大と生産設備の増強を進めており、化合物半導体においてはSiC (炭化ケイ素) パワーデバイスを製品化しています。さらにGaN (窒化ガリウム) パワーデバイスの開発を進めています。
Even as the drive for decarbonization intensifies, demand for electricity continues to grow. The need for smaller power converters with low power loss has never been greater, and we are responding by improving the performance of our silicon (Si) devices and introducing wide-bandgap (WBG) semiconductors. We are expanding our Si products lineup and building new manufacturing facilities to boost their production. In our WBG lineup, we have commercialized silicon carbide (SiC) devices and we are developing gallium nitride (GaN) power semiconductors.
よりお客様が使いやすく、高性能なGaNパワーデバイスを提供することで、お客様の機器の電力損失の低減や小型化に貢献します。
当社はMOSFETの開発と製造を長年にわたって手掛けてきており、現在では、耐圧500Vから800Vを中心とした中高耐圧品「DTMOS」シリーズと、耐圧12Vから250Vの低耐圧品「U-MOS」シリーズを展開しています。
新素材シリコンカーバイド (SiC) を使用したSiC SBDはSi SBDでは実現できなかった高耐圧化を実現しており、低損失・高効率な電力変換が求められるサーバー用電源や太陽光発電用パワーコンディショナーなどに最適です。
[注 1] IEGTはInjection Enhanced Gate Transistor (電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター) の略
[注 2] ダイオードにはパワー半導体以外の製品も含まれます
e-ラーニング
半導体とは何か？からパワー半導体の基礎まで動画でご覧いただけます。
リファレンスデザイン
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パワー半導体への挑戦
東芝デバイス＆ストレージ株式会社のパワー半導体は、カーボンニュートラルな社会の実現、電気消費量抑制のため、22年度下期より300mmシリコンウエハーによる増産を開始。ますます市場が拡大するパワー半導体の安定供給に向けて新製造棟の建設も決定。 ウエハーの大口径化と、より品質と効率の良い製造技術により大幅増産が可能となります。 自動車、鉄道、変電所など様ざまな場面で省エネに貢献し続けてまいります。
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