IGBT

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IGBTとは、前段に電圧駆動のMOSFETを用い、後段に大電流を流せるトランジスターを組合せた大電流制御に適したデバイスです。

IGBT：絶縁ゲートバイポーラートランジスター(Insulated Gate Bipolar Transistor)

«等価回路と動作内容»

  • IGBTの等価回路を図3-13(b)に示します。npn Trは、RBEにより動作しないように設計されています。
  • Nch MOSのゲートにオン信号を与えるとNch MOSが導通状態になります。
  • その結果、pnp Trのエミッターからベースへ電流が流れます。このベース電流は、Nch MOSのオン抵抗を下げる働きをします。(導電度変調)

≪MOSFETとの対比≫

  • ゲートドライブは、NchのMOSFETと同じです。
  • オン状態時、Nch MOSのオン抵抗が小さくなり大電流の通電が可能となります。
  • pnp Trのエミッター・ベース間の電圧降下が全電流領域で発生します。(約1.0V程度がオン電圧として上積みされます。)
IGBTの記号
図3-13(a) IGBTの記号
IGBTの内部等価回路
図3-13(b) IGBTの内部等価回路

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
詳細
バイポーラートランジスター
詳細
抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
詳細
MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：電気的特性
詳細
MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
MOSFET：ボディーダイオード
詳細

関連情報

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