3-16. IGBT

IGBTとは、前段に電圧駆動のMOSFETを用い、後段に大電流を流せるトランジスターを組合せた大電流制御に適したデバイスです。

IGBT：絶縁ゲートバイポーラートランジスター(Insulated Gate Bipolar Transistor)

«等価回路と動作内容»

• IGBTの等価回路を図3-13(b)に示します。npn Trは、R_BEにより動作しないように設計されています。
• Nch MOSのゲートにオン信号を与えるとNch MOSが導通状態になります。
• その結果、pnp Trのエミッターからベースへ電流が流れます。このベース電流は、Nch MOSのオン抵抗を下げる働きをします。(導電度変調)

≪MOSFETとの対比≫

• ゲートドライブは、NchのMOSFETと同じです。
• オン状態時、Nch MOSのオン抵抗が小さくなり大電流の通電が可能となります。
• pnp Trのエミッター・ベース間の電圧降下が全電流領域で発生します。(約1.0V程度がオン電圧として上積みされます。)

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