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3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
IGBTは、図3-15(a)に示すように縦方向のデザインが変遷してきています。当初、PT構造からスタートし、現在は薄ウェハ化に伴い薄PT(一般的にField Stopと呼称)構造が主流になりつつあります。
(ゲート構造はMOSFETと同じ構成になります)
PT型のVCE(sat)特性は、高温と常温で交わる電流値があります。(これをQ点と言います)
NPT型は、(MOSFETと同様)高温のVCE(sat)が常に大きく並列運転してもコレクター電流のバランスが取り易くなっています。
注：VCE(sat)--順方向特性、飽和状態でコレクター電流を流した時の電圧降下
第3章 トランジスター
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