IGBT：縦方向デザインの進化

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IGBTは、図3-15(a)に示すように縦方向のデザインが変遷してきています。当初、PT構造からスタートし、現在は薄ウェハ化に伴い薄PT(一般的にField Stopと呼称)構造が主流になりつつあります。
(ゲート構造はMOSFETと同じ構成になります)

IGBTの縦方向デザインの変遷
図3-15(a) IGBTの縦方向デザインの変遷

PT型のVCE(sat)特性は、高温と常温で交わる電流値があります。(これをQ点と言います)
NPT型は、(MOSFETと同様)高温のVCE(sat)が常に大きく並列運転してもコレクター電流のバランスが取り易くなっています。

PTとNPTの順方向特性の相違
図3-15(b) PTとNPTの順方向特性の相違

注：VCE(sat)--順方向特性、飽和状態でコレクター電流を流した時の電圧降下

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
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BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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