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MOSFET:容量・スイッチング特性

≪電気的特性≫

  • 入力容量 (Ciss) Cgd + Cgs
    ゲート・ドレイン間とゲート・ソース間容量です。
  • 帰還容量 (Crss) Cgd
    ゲート・ドレイン間容量です。
  • 出力容量 (Coss) Cgd+Cds
    ゲート・ドレイン間とドレイン・ソース間容量です。
MOSFETのデータシート:容量・スイッチング特性
  • 上昇時間 (tr)
    ドレイン・ソース間電圧が90から10%まで変化する時間です。
  • ターンオン時間 (ton)
    ゲート・ソース間電圧立ち上がり10%を起点に上昇時間を加算した時間です。
  • 下降時間 (tf)
    ドレイン・ソース間電圧が10から90%まで変化する時間です。
  • ターンオフ時間 (toff)
    ゲート・ソース間電圧立ち下がり90%を起点に下降時間を加算した時間です。
MOSFETのデータシート:容量・スイッチング特性

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報