3-25. MOSFET:容量・スイッチング特性

≪電気的特性≫

  • 入力容量 (Ciss) Cgd + Cgs
    ゲート・ドレイン間とゲート・ソース間容量です。
  • 帰還容量 (Crss) Cgd
    ゲート・ドレイン間容量です。
  • 出力容量 (Coss) Cgd+Cds
    ゲート・ドレイン間とドレイン・ソース間容量です。
MOSFETのデータシート:容量・スイッチング特性
  • 上昇時間 (tr)
    ドレイン・ソース間電圧が90から10%まで変化する時間です。
  • ターンオン時間 (ton)
    ゲート・ソース間電圧立ち上がり10%を起点に上昇時間を加算した時間です。
  • 下降時間 (tf)
    ドレイン・ソース間電圧が10から90%まで変化する時間です。
  • ターンオフ時間 (toff)
    ゲート・ソース間電圧立ち下がり90%を起点に下降時間を加算した時間です。
MOSFETのデータシート:容量・スイッチング特性

第3章 トランジスター

3-1. トランジスターの種類
3-2. バイポーラートランジスター
3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
3-4. JFET
3-5. MOSFET
3-6. BJTとMOSFETの動作
3-7. MOSFETの構造と動作
3-8. MOSFET:RDS(ON)の決定要因
3-9. MOSFET:低RDS(ON)
3-10. Super Junction MOSFET
3-11. MOSFETの構造別特長
3-12. MOSFET:ドレイン電流と許容損失
3-13. MOSFET:アバランシェ耐量
3-14. MOSFET:容量特性
3-15. MOSFET:安全動作領域(SOA)
3-16. IGBT
3-17. IGBTの動作
3-18. IGBT:縦方向デザインの進化
3-19. RC-IGBT/IEGTとは
3-20. IGBTの応用機器
3-21. IGBTとMOSFETの比較
3-22. 各トランジスターの比較まとめ
3-23. MOSFET:最大定格
3-24. MOSFET:電気的特性
3-26. MOSFET:ボディーダイオード

関連情報