MOSFET：容量・スイッチング特性

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≪電気的特性≫

  • 入力容量 (Ciss)　Cgd + Cgs
    ゲート･ドレイン間とゲート･ソース間容量です。
  • 帰還容量 (Crss)　Cgd
    ゲート･ドレイン間容量です。
  • 出力容量 (Coss)　Cgd+Cds
    ゲート･ドレイン間とドレイン･ソース間容量です。
MOSFETのデータシート：容量・スイッチング特性
  • 上昇時間 (tr)
    ドレイン･ソース間電圧が90から10％まで変化する時間です。
  • ターンオン時間 (ton)
    ゲート･ソース間電圧立ち上がり10％を起点に上昇時間を加算した時間です。
  • 下降時間 (tf)
    ドレイン･ソース間電圧が10から90％まで変化する時間です。
  • ターンオフ時間 (toff)
    ゲート･ソース間電圧立ち下がり90％を起点に下降時間を加算した時間です。
MOSFETのデータシート：容量・スイッチング特性

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
詳細
バイポーラートランジスター
詳細
抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
詳細
MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：電気的特性
詳細
MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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