3-19. RC-IGBT/IEGTとは

RC-IGBT（Reverse Conductive ：逆導通 IGBT)

• RC-IGBTの構造を図3-16(a)に示します。
  IGBTチップのコレクターであるp層にn層による開口部を設けダイオードを構成します。このダイオードは、一般のIGBTに挿入されるFWD(*1)と同様な働きをします。
• 薄ウェハー技術の導入に伴い製品化が可能となりました。ダイオードとIGBTが、1チップのため組立が簡単で安価な製品が可能となりますが、両者の性能を分離して制御することが困難なため、適合しない応用があります。

IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor：
注入促進型IGBT)

• 高耐圧のIGBTは、エミッター側のドリフト層（n^-層）のキャリア濃度が低下し低V_CE(sat)特性を得ることが難しくなります。
• IEGTは、高耐圧(一般的には1200V以上)で
  低V_CE(sat)性能を得るために開発されました。
• 図3-16(b)に構造およびその原理を示します。
• トレンチゲート構造でかつゲート電極の引き出しを間引いています。その結果、間引かれたゲート電極直下にキャリアが蓄積されエミッター側のキャリア濃度を高めます。
• 高キャリア濃度によりドリフト層(ｎ^-)の抵抗値が低下、低V_CE(sat)化を図れます。