※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
※ : 製品一覧(パラメトリックサーチ)
本機能は Internet Explorer 11 ではご利用頂けません。最新のGoogle Chrome, Microsoft Edge, Mozilla Firefox, Safariにてご利用ください。
品番は3文字以上指定して下さい。
クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。
品番は3文字以上指定して下さい。
オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
BJTとMOSFETのON/OFFの動作の違いを説明します。
(1) BJTは、ベース電圧を上げていくとベース電流が流れ始め、そのベース電流に比例してコレクター電流が流れます。この流れ始める電圧は約0.7Vで、この電圧の事を、ベース・エミッター間のスレッシュホールド電圧VBEと呼びます。コレクター電流を流す為にはベース電流を流す必要があり、継続的にドライブ用の電力を必要とします。
(駆動電圧が低い、継続的なドライブ電力が必要)
(2) MOSFETは、ゲート・ソース間電圧によりチャネルを形成するので駆動電圧は一定電圧以上が必要になります。ひとたびチャネルが形成されるとON状態は継続し、ドレイン電流は流れ続けます。このためドライブに必要な電力は小さくて済みます。OFF状態への移行は、ゲートに溜まった電荷を放電しチャネルを取り除くことで行います。
(BJTに比べ駆動電圧が高い、小さなドライブ電力)