BJTとMOSFETの動作

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BJTとMOSFETのON/OFFの動作の違いを説明します。
(1) BJTは、ベース電圧を上げていくとベース電流が流れ始め、そのベース電流に比例してコレクター電流が流れます。この流れ始める電圧は約0.7Vで、この電圧の事を、ベース・エミッター間のスレッシュホールド電圧VBEと呼びます。コレクター電流を流す為にはベース電流を流す必要があり、継続的にドライブ用の電力を必要とします。
(駆動電圧が低い、継続的なドライブ電力が必要)
(2) MOSFETは、ゲート・ソース間電圧によりチャネルを形成するので駆動電圧は一定電圧以上が必要になります。ひとたびチャネルが形成されるとON状態は継続し、ドレイン電流は流れ続けます。このためドライブに必要な電力は小さくて済みます。OFF状態への移行は、ゲートに溜まった電荷を放電しチャネルを取り除くことで行います。
(BJTに比べ駆動電圧が高い、小さなドライブ電力)

BJTのスイッチング動作
図3-5(a) BJTのスイッチング動作
MOSFETのスイッチング動作
図3-5(b) MOSFETのスイッチング動作

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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