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3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
２つのモードの安全動作領域があります。
(1) Forward Bias SOA (F.B．SOA)：オン状態における電流－電圧の使用可能領域を表します。
(2) Reverse Bias SOA (R.B．SOA)：ターンオフ時の電流－電圧の使用可能領域を表します。
スイッチング動作ですので適用パルス幅は非常に短くなります。
各モードは、図3-12(a)のように定義することが出来ます。
- MOSFETは、アバランシェの保証のようにターンオフ時の定格電圧・電流動作(短時間)が一般的に保証されておりR.B.SOAは発表されていません。
- F.B.SOAは、電流(定格ID他)、電圧(定格VDS)、熱抵抗の３つの制限領域と二次降伏領域から成ります。
- ３つの制限領域は、各デバイスの定格、熱抵抗から算出されますが、二次降伏領域は、デバイスの実測から求められます。
- 3-14. MOSFET：容量特性
- 15/26
- 3-16. IGBT
第3章 トランジスター
関連情報
- 製品ページ
- アプリケーションノート
- FAQ