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3-21. IGBTとMOSFETの比較
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
耐圧500～600VのMOSFET(D-MOS)とIGBTの順方向特性を比較します。小電流領域では、MOSFETが低い電圧降下であり優れた性能となります。他方、大電流領域において、IGBTの順方向特性はMOSFETに対して優れていることが、図3-17から確認できます。また、MOSFETの順方向特性は、強い正の温度特性を有しておりますので高温・大電流領域の性能はで更にこの差は拡大します。
中・高耐圧製品で比較した場合の例です。トレンチMOSFETのように低耐圧品は、非常にオン抵抗が小さく、実動作電流領域ではMOSFETの方が小さくなります。
本特性及びそのスイッチング性能（MOSFETがより高速スイッチング性能）から
- MOSFETは、スイッチング電源のような100kHz 前後で低電流密度の応用
- IGBTは、インバーターのような20kHz前後以下の 周波数で高電流密度の応用に多用されています。
第3章 トランジスター
関連情報
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- FAQ