IGBTとMOSFETの比較

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耐圧500～600VのMOSFET(D-MOS)とIGBTの順方向特性を比較します。小電流領域では、MOSFETが低い電圧降下であり優れた性能となります。他方、大電流領域において、IGBTの順方向特性はMOSFETに対して優れていることが、図3-17から確認できます。また、MOSFETの順方向特性は、強い正の温度特性を有しておりますので高温・大電流領域の性能はで更にこの差は拡大します。

MOSFETとIGBTの順方向特性比較
図3-17 MOSFETとIGBTの順方向特性比較

中・高耐圧製品で比較した場合の例です。トレンチMOSFETのように低耐圧品は、非常にオン抵抗が小さく、実動作電流領域ではMOSFETの方が小さくなります。

本特性及びそのスイッチング性能（MOSFETがより高速スイッチング性能）から

  • MOSFETは、スイッチング電源のような100kHz 前後で低電流密度の応用
  • IGBTは、インバーターのような20kHz前後以下の 周波数で高電流密度の応用に多用されています。

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
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BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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