IGBTの動作

「第3章　トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB) 

IGBTを図3-14(a)の配線をした場合での動作を以下説明します。
(1) ゲートに正電圧が印加されておりゲート直下のp層に反転層が出来、通常のNch MOSFETと同様に図3-14(b)のNch MOSがオン状態となります。
(2) Nch MOSがオン状態になるとコレクター電極が＋電位で有るため、コレクター側のp+層からn+層を経由してn-層に正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッター側からの電子の注入が加速されます。
(3) その結果、本来高抵抗層であるn-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しn-層の抵抗値を下げる働きをします。(伝導度変調)　これは、図3-14(b)に示すようにオン抵抗が変化するNch MOSとして動作します。

IGBTの動作
図3-14(a) IGBTの動作
IGBTの等価回路と実動作上の回路イメージ
図3-14(b) IGBTの等価回路と実動作上の回路イメージ

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
詳細
バイポーラートランジスター
詳細
抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
詳細
MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：電気的特性
詳細
MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
MOSFET：ボディーダイオード
詳細

関連情報

ディスクリート半導体の基礎へ戻る

別ウインドウにて開きます