3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失

MOSFETの代表的な最大定格である許容損失とドレイン電流は、下記のようにして算出されています。
(一部製品で電流の異なる表現を採用している場合があります)
許容損失は、定常熱抵抗とチャネル温度を用います。ドレイン電流は、算出された許容損失とオン抵 抗よりオームの法則を用い算出します。

P_D：許容損失
⇒　指定の温度条件でデバイスが許容できる電力損失(許容電力)

I_D：ドレイン電流
⇒　DC定格、順方向に直流で流せる電流値(常温で定義される)

I_DP：パルスドレイン電流
⇒ 指定されたパルス幅のドレイン電流値、一般的にDC値の4倍程度
一部保証していない製品もあります

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