MOSFET：ドレイン電流と許容損失

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MOSFETの代表的な最大定格である許容損失とドレイン電流は、下記のようにして算出されています。
(一部製品で電流の異なる表現を採用している場合があります)
許容損失は、定常熱抵抗とチャネル温度を用います。ドレイン電流は、算出された許容損失とオン抵 抗よりオームの法則を用い算出します。

PD：許容損失
⇒　指定の温度条件でデバイスが許容できる電力損失(許容電力)

許容損失

ID：ドレイン電流
⇒　DC定格、順方向に直流で流せる電流値(常温で定義される)

ドレイン電流

IDP：パルスドレイン電流
⇒ 指定されたパルス幅のドレイン電流値、一般的にDC値の4倍程度
一部保証していない製品もあります

パルスドレイン電流

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
詳細
抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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