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MOSFET:ドレイン電流と許容損失

MOSFETの代表的な最大定格である許容損失とドレイン電流は、下記のようにして算出されています。
(一部製品で電流の異なる表現を採用している場合があります)
許容損失は、定常熱抵抗とチャネル温度を用います。ドレイン電流は、算出された許容損失とオン抵 抗よりオームの法則を用い算出します。

PD:許容損失
⇒ 指定の温度条件でデバイスが許容できる電力損失(許容電力)

許容損失

ID:ドレイン電流
⇒ DC定格、順方向に直流で流せる電流値
(常温で定義される)

ドレイン電流

IDP:パルスドレイン電流
⇒ 指定されたパルス幅のドレイン電流値、一般的にDC値の4倍程度
一部保証していない製品もあります

パルスドレイン電流

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報

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